2020-01-07
【CES 2020】最高 6400MHz、1.1V 電壓
Micron DDR5 正式出樣,有望 2021 年上市
文: Cherry Kwok / 新聞中心
文章索引: IT要聞 記憶體 Micron CES 2020

據目前的發展方向,在 2020 年 AMD、Intel 將會推出的新一代 CPU 處理器暫時仍只會支援 DDR4 記憶體,但是下一代 DDR5 記憶體已經近在眼前,預計會在 2021 年正式上市,在 CES 2020 大會期間,Micron 公佈其 DDR5 記憶體研發已獲得重打的進展,全新的 DDR5 記憶體基於 1Znm 工藝,密度提高了一倍,性能提升了 85%,並現已開始向客戶出樣。

 

1Znm 工藝是 DRAM 新一代技術,Micron 已在 2019 年 8 月大規模生產 1Znm 16Gb DDR4 產品,與上一代 1ynm 製程相比,可提供更高的密度,顯著的增強性能以及更低的成本。如今,Micron 再將 1Znm 導入到 DDR5 中應用,將更具市場競爭優勢。

 

DDR5 是 DDR4 的後繼產品,而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化,因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗,且受到移動和終端等因素的推動,而 DDR5 則驅動更大頻寬需求增加,滿足當下 CPU 核心數提升的速度,Micron 基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍,同時也提高了可靠性。

 

DDR5 RAM

DDR5 RAM

DDR5 RAM

 

與現時主流的 DDR4 記憶體相比,Micron 全新的 DDR5 記憶體功耗更低、速度更快,最先起跳的 DDR5 3200 會比 DDR4 3200 快 1.36 倍,而主流 DDR5 4800 對比 DDR4 3200 快出 1.87 倍,終極規格最高為 DDR5 6400MHz,性能非常強大。其它變化還有,電壓從 1.2V 降低到 1.1V,同時每通道 32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的 Bank Group 數量以改善性能等。此外,DDR5 的記憶體頻寬預計達到 32 GB/s,相較 25.6 GB/S 頻寬的 DDR4 提高了 25%。

 

而 Micron 現在出樣的 DDR5 記憶體使用的 1Znm 工藝大概是 12-14nm 節點之間,ECC DIMM 規格,時脈為 DDR5-4800,比現在的 DDR4-3200 時脈性能提升了 87% 左右,不過距離 DDR5- 6400 還有點距離,後期還有挖掘的空間。

 

DDR5 RAM

DDR5 RAM

DDR5 RAM

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對 DDR5 記憶體來說,平台的支援才是最大的問題,目前還沒有正式支援 DDR5 記憶體的平台,AMD 預計會在 2021 年的 Zen4 處理器上更換插槽,支援 DDR5 記憶體,而 Intel 這邊 14nm 及 10nm 處理器都沒有明確過 DDR5 記憶體支援,官方路線圖顯示 2021 年的 7nm 工藝 Sapphire Rapids 處理器才會上 DDR5,而且是首發伺服器產品,消費級平台估計還要再等等。

 

DDR5 RAM

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