目前，高階及主流級的 NVIDIA GeForce RTX 20 系列及 AMD Radeon RX5000 系列繪圖卡都已經搭載了新一代的 GDDR6 記憶體，至於相對更高階的 Titan V、Radeon VII 繪圖卡就採用了另一款的 HBM2 記憶體，在上週，JEDEC 就正式發佈了全新升級、第三版的 HBM2E 記憶體標準「JESD235C」，作為儲存晶片生產大廠的 Samsung 亦隨即宣佈推出名為 Flashbolt 的第三代 HBM2E 記憶體，HBM2E 單顆最大容量為 16GB，由 8 顆 16Gb 的 DRAM 顆粒堆疊而成，單個封裝可實現 16GB 容量，最高可提供 3.2Gbps 的穩定數據傳輸速度，預計新的 HBM2E 記憶體將在今年上半年開始量產。

Samsung 在 2019 年 3 月宣佈成功研發了業界首款符合 HBM2E 規範的記憶體，HBM2E 是 HBM2 的升級版標準，HBM2 的最大數據傳輸速度可達 2.4Gbps ，在此之前使用 HBM2 記憶體的繪圖卡分別有 AMD Radeon VII 及 NVIDIA Titan V，其中 Radeon VII 的記憶體介面為 4096-bit 、頻寬最高可達 1TB/s，至於Titan V 的記憶體介面為 3072-bit、頻寬也達到了 653GB/s。

至於 JEDEC 最新發佈的第三版 HBM2E 標準「JESD235C」，電壓依舊保持在 1.2V，不過其針腳頻寬提高到 3.2Gbps，較前一代最高 2.4Gbps 的最大數據傳輸速度提升 33%。按照 JEDEC 給出的設計規範，單 Die 最大可達 2GB、單堆疊 12Die 能達到 24GB 的容量，將其配備在支援四堆疊的 GPU 繪圖晶片上，便可為繪圖卡提供 1.64TB/s 的總頻寬。

有意思的是，「JESD235C」標準中僅僅是製定了正常工作狀態的電壓，並未對新 HBM2E 電壓的做出任何的限制。因此，Samsung 可以為自家的 HBM2E 記憶體加入“超頻”的特性，有著不小的提升空間，進而為繪圖卡提供更高的頻寬。

全新第三代 HBM2E 記憶體「Flashbolt」採用 Samsung 1ynm 製程工藝，單顆最大容量為 16GB，由 16Gb 的單 Die 通過 8 層堆疊而成，Samsung 官方指出，新的「Flashbolt」在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認的 3.2Gbps 下，單顆 HBM2E 就可以提供高達 410GB/s 的頻寬，1 秒內能傳輸 82 部 Full HD (5GB) 全高清畫質影片。

至於 Samsung 內部測試自家新「Flashbolt」記憶體，在“超頻”後可以達到最高 4.2Gbps 的傳輸速率，頻寬更高達 538GB/s，比上代產品高出 75%。

按照 Samsung 官方的說法，全新 16GB 的第三代 HBM2E「Flashbolt」記憶體將會在今年上半年開始量產，特別適用於 HPC 高性能運算系統，並可幫助系統製造商及時改進其超級電腦、AI 驅動的數據分析及最新的圖形系統。