在 CES 2020 大會上，SK Hynix 曾展示過全新 64GB 容量的「 DDR5 RDIMM ECC」記憶體實物，官方給出的資料傳輸速率為4800MHz，性能比現在的 DDR4 記憶體高出不少，SK-Hynix 日前再公佈了有關即將推出的 DDR5 記憶體的更新，最高可達 8400MHz、最大密度為 64Gb，新的 DDR5 記憶體將會在今年量產，絕對是一個讓人振奮的消息。

目前主流 PC 電腦平台使用的記憶體規格為 DDR4，不過各大 DRAM 廠已經進入並即將量產下一代 DDR5 記憶體的晶片，早在 2018 年 11 月，SK-Hynix 就宣佈開發了業界首個基於 JEDEC 標準的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM，SK Hynix 官方的資料顯示，2013 年由 DDR3 轉到 DDR4 的時代，記憶體頻寬增加了 33%，而在即將到來的 DDR5 時代，SK Hynix 的目標是使每個 DIMM 的頻寬增加 50% 以上。

SK-Hynix 最新就公佈了關於即將推出的 DDR5 記憶體的更資料，新的 DDR5 標準非常靈活，規格表中提到，DDR5 的記憶體速度範圍涵蓋了 3200MHz 至 8400 MHz。相比之下，DDR4 記憶體普遍介乎 1600MHz 至 3200MHz 的速度範圍，當然亦有製造商推出高達 5000MHz 的 DDR4 記憶體，但數量不算多。

雖然 DDR5 最低速度為 3200 MHz，但目前看來 DRAM 廠比較著重開發 DDR5-4800MHz 以上，單組 DDR5 晶片的密度為8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb，是 DDR4 晶片最大容量的四倍。因此，在使用 24Gb 及 32Gb 密度的 DRAM，將可以製造出 24GB 或 48GB 容量的 DDR5，而使用 64Gb 密度 DRAM，單個 DIMM 上最大就可製造出 64GB 容量 DDR5 記憶體，具體取決於記憶體供應商是否要採用雙容量路線。

除了容量和速度方面的改進之外，最大的變化之一可能是對記憶體 ECC 錯誤糾正代碼支援的添加。現在，此功能已不像 DDR4 一樣專用於特殊的晶片，而是內置於每個晶片中。DDR5 記憶體晶片區塊亦由 DDR4 的 16Banks 提升到 32Banks，共分為 X4/X8 的儲存區組，旨在提供盡可能多的頻寬。

其它參數也均有明顯改進，兩個關鍵電壓 VDD/VDDq 及 VPP 分別從 1.2V、2.5V 降至 1.1V、1.8V，總功耗降低了 20%，透過重新設計反饋平衡電路解決雜訊，可進一步緩解高頻下的發熱量，以實現引腳頻寬的增加。

SK-Hynix 表示，DDR5 記憶體定於今年內量產，初期以 10nm 級 16Gb 容量為主，也就是單條最大  32GB，不過 DDR5 DRAM 容量密度的選擇豐富，有望可打造出單條最大 128GB 容量的 DDR5 記憶體。

在技術研發方面，DDR5 記憶體的工作是已經完成了，並已開始預研 DDR6 記憶體，雖然目前業界仍未統一 DDR6 的規範，不過之前的消息指 DDR6 的預期速率為 12Gb/s，因此可以達成 DDR6-12000 記憶體。