SSD 廠商已預告未來將會由 TLC 轉向 QLC 顆粒，令容量進一步增大、成本降低，但代價就是寫入壽命越來越低，未來甚至再進一步跳進 PLC 顆粒，但 DRAMeXchange 最新調查報告指出，PLC NAND Flash 最低 P/E 壽命最短只有 35 次，真的能很做 SSD 嗎 ?

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性，隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級，由於需要更複雜的電壓層級控制，令 P/E 壽命因而降低了，另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。

究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出， SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000，但轉用先進的 1xnm 制程，P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。

現在 TLC SSD 已經成為了主流，大約可以看到它在 1xnm 制程下只餘下 500次，如果轉入 QLC 的話會跌至 70 次，PLC 就更慘大約只有 35次，理論上就是全寫滿 35次就要升天了。

以上數據均為 2D NAND Flash 下的表現，換上 3D NAND Flash 更多層堆疊再加上較老舊的制程，壽命可能會好一點，但 PLC 如果技術沒改進，SSD 真的能用嗎。