2020-06-28
PLC NAND Flash 做的 SSD 你敢用 ?
1xnm PLC 顆粒最差只有 35次 P/E 壽命
文: Spike Lam / 新聞中心
文章索引: IT要聞 儲存裝置

SSD 廠商已預告未來將會由 TLC 轉向 QLC 顆粒,令容量進一步增大、成本降低,但代價就是寫入壽命越來越低,未來甚至再進一步跳進 PLC 顆粒,但 DRAMeXchange 最新調查報告指出,PLC NAND Flash 最低 P/E 壽命最短只有 35 次,真的能很做 SSD 嗎 ?

 

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性,隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級,由於需要更複雜的電壓層級控制,令 P/E 壽命因而降低了,另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。

 

SSD

 

究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出, SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000,但轉用先進的 1xnm 制程,P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次,和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。

 

現在 TLC SSD 已經成為了主流,大約可以看到它在 1xnm 制程下只餘下 500次,如果轉入 QLC 的話會跌至 70 次,PLC 就更慘大約只有 35次,理論上就是全寫滿 35次就要升天了。

 

以上數據均為 2D NAND Flash 下的表現,換上 3D NAND Flash 更多層堆疊再加上較老舊的制程,壽命可能會好一點,但 PLC 如果技術沒改進,SSD 真的能用嗎。

 

PLC

 

 

分享到:
發表評論