在 2018 年「中國科學院微電子研究所」以專利侵權為由將 Intel 告上法庭，主要涉及半導體 FinFET 晶體管結構及製造方法，而在 7 月 28 日中國國家知識產權局專利複審委員會 ( 下稱「複審委」) 口頭審理了 201110240931.5 (下稱「FinFET 專利」) 發明專利的無效申請，無效申請的請求人是英特爾 ( 中國 ) 有限公司 ( 下稱「Intel」 )，而專利權人為中國科學院微電子研究所 ( 下稱「微電子所」 )。

據了解，Intel 被告侵權的事情肇始於 2018 年 2 月呈送於北京高院的一紙發明專利侵權訴訟，訴訟原告為微電子所，被告為 Intel 、戴爾（中國）有限公司 ( 下稱 「Dell」) 及北京京東世紀信息技術有限公司 ( 下稱「京東」)。微電子所訴稱，Intel Core 系列處理器侵犯了其名為「半導體器件結構及其製作方法、及半導體鰭製作方法」的 FinFET 專利，要求 Intel 停止侵權，賠償至少 2 億元人民幣，並承擔訴訟費用，同時申請法院下達禁令。

主要涉及的是 FinFET (鰭式場效應晶體管) 結構製造方法，FinFET 是一種晶體管設計，與普通平面晶體管相比，具有電學性能良好、可擴展性強和兼容性較高等優勢，備受業界的矚目。值得注意的是，韓國高級科學技術研究院也曾就 FinFET 相關技術與 Samsung 引發專利糾紛，最終 Samsung 敗訴並賠償 4 億美金而告終。由此可見，FinFET 相關技術具有較高的商業價值。

微電子研究所聲稱自己一直處於 FinFET 技術研究的最前端，並為 FinFET 技術作出了許多貢獻。為了證明自家 FinFET 專利組合在專利質量和專利數量的綜合能力上具有了與世界主要半導體企業同等的地位，微電子所還援引了外國專利諮詢公司LexInnova 在 2015 年進行的 FinFET 領域專利調查研究，研究表明，微電子所在該領域的專利申請數量不僅排名第 11 位，而且專利申請質量還被評估為全球第一。

自 2011 年 22nm 製程節點的第三代 Core 處理器開始採用 FinFET 技術，FinFET 幾乎是全球主流晶圓廠的不二之選。Intel 第三代之後的 Core 系列處理器自然概莫能外，微電子所在專利侵權訴訟中亦有提及 Core 系列處理器。Core 系列處理器是奠定了 Intel 雄霸之路的產品，時至今日，Core i7、Core i5、Core i3 等一個個耳熟能詳的名字幾乎是 Intel 的產品名片，此次訴未知波及的會是那些 Core 系列的產品，不過，就 FinFET 專利的權利保護範圍來看，可能所涉頗廣。

為何 Intel 會被告侵權呢? 據知識產權專利研究人員稱，從方法角度來看，只要是先在柵極線外側形成了側牆之後，再切斷 ( 電學隔離 ) 柵極線的 FinFET 設計，都會落入微電子所 FinFET 專利保護範圍；從結構角度來看，微電子所 FinFET 專利保護範圍包括在同一直線延伸的柵電極兩側具有側牆且側牆未將柵電極的隔離端包圍的 FinFET 設計。

2018 年 2 月，微電子研究所以專利侵權為由將 Intel 告上法庭，與 Intel 一同成為被告的還有電腦製造商 Dell 及京東，為了應對微電子所發起的專利侵權訴訟，Intel 之前曾在中國向複審委及美國專利商標局專利 USPTO 發起專利無效申請，均以失敗告終。此次無效審查仍在進行中並已經過複審委口頭審理，審查決定尚未發佈。

一旦在專利侵權案中敗訴，Intel 不僅要向微電子研究所支援不低於 2 億元人民幣的賠償，微電子研究所在訴訟中更要求對涉及侵犯 FinFET 專利權的產品發出禁令，因此 Core 系列在中國地區或會有「被禁售」的可能性，當然，不排除 Intel 會向微電子所尋求和解的可能性，但可想而知和解同樣需要付出一定的代價。