2020 世界半導體大會 26 日正式舉行，TSMC 除了公佈了 6nm、5nm、3nm 制程的進度外，亦首次談及了 2nm 制程研發，TSMC 2nm 將會首次導入 GAA 環繞閘極工藝，將會投入 8,000 工程師專門針對 2nm 進行研發，並會在台灣新竹興建 2nm 廠房，2nm 將會是 TSMC 能否持續領先的關鍵之役。

據了解，無論是 TSMC 或是 SAMSUNG，半導體制程均已推進至 3nm 級別，技術研發基本上已完成，剩下來是產能和良率問題了，但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰，因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝，TSMC 做法則比較保守，選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝，所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

現時大部份 14nm 或以上制程均是採用 FinFET 鰭片式電晶體，當前的微縮製程走到3nm，將會面臨新的物理極限，除非改用 GAA 環繞閘極工藝結構，否則摩爾定律就很難再維持下去，GAA 環繞閘極工藝成為了兵家必爭之地。

TSMC 為了 2nm 制程將會投入 8,000 名工程師到 2nm 制程的生產研發，目前 TSMC 在 2nm 的進度順利並取得重大突破，成功找到切入 GAA 環繞閘極工藝結構的路徑，並計劃在台灣新竹興建 2nm 廠房，TSMC 未來能否未來繼續保持領先優勢，2nm 將會是重要關鍵。