中芯國際 (SMIC) 宣佈 2020 年底成功研發全新 N+1 制程，並預計在 2020 年底進行小批量試產、2021 年可望進入量產階段，相較現時 SMIC 所擁有的 14nm 制程，其能提升 20％、功耗降低 57％、邏輯面積縮小 63％、SoC面積縮小 55％，將會成為中國半導體晶片生產的新希望。

據了解，SMIC 在 2019 年第 4 季度量產 14nm FinFET 制程，該技術現時可滿足了國內約 95% 的晶片生產，從 14nm FinFET 改進良的 12nm FinFET 亦已進入客戶導入階段，這些都是 SMIC 的第一代 FinFET 技術，而 N+1 制程則屬於 SMIC 的第 2 代 FinFET 技術，N+1 是 SMIC 的內部代號，並沒有具體說明 nm 數字節點，但外界猜測很大機會是 10nm，而正在研發中的 N+2 會是為高性能晶片而生。

現時已得悉 N+1 制程 相較現時 SMIC 所擁有的 14nm 制程，其能提升 20％、功耗降低 57％、邏輯面積縮小 63％、SoC面積縮小 55％，由於不需要 EUV 技術所以無需要 ASML 最新的 EUV 光刻機，將會成為中國半導體晶片生產的新希望 。

隨著制程不斷進步，SMIC 沿用的 DUV 深紫外光刻機已經無法滿足精度的要求，去年 SMIC 想向 ASML 購買 EVU 光刻機但受到美國阻撓，令中國知道核心技術的重要性，為降低美國對中國半導體行業的打撃，中芯國際 (SMIC) 正進行去美國化計劃，在年底前在完全不使用外國技術及設備下，實現全國產技術的 40nm 晶片試產，並且期待在 3 年內生產更先進的 28nm 制程，期望在技術上可做到自給自足。