2020-09-22
比 14nm 性能 +20%、面積縮小 63%
厲害了 !! 中芯宣佈全新 N+1 制程試產
文: Roy Chan / 新聞中心
文章索引: IT要聞 半導體

中芯國際 (SMIC) 宣佈 2020 年底成功研發全新 N+1 制程,並預計在 2020 年底進行小批量試產、2021 年可望進入量產階段,相較現時 SMIC 所擁有的 14nm 制程,其能提升 20%、功耗降低 57%、邏輯面積縮小 63%、SoC面積縮小 55%,將會成為中國半導體晶片生產的新希望。

 

據了解,SMIC 在 2019 年第 4 季度量產 14nm FinFET 制程,該技術現時可滿足了國內約 95% 的晶片生產,從 14nm FinFET 改進良的 12nm FinFET 亦已進入客戶導入階段,這些都是 SMIC 的第一代 FinFET 技術,而 N+1 制程則屬於 SMIC 的第 2 代 FinFET 技術,N+1 是 SMIC 的內部代號,並沒有具體說明 nm 數字節點,但外界猜測很大機會是 10nm,而正在研發中的 N+2 會是為高性能晶片而生。

 

現時已得悉 N+1 制程 相較現時 SMIC 所擁有的 14nm 制程,其能提升 20%、功耗降低 57%、邏輯面積縮小 63%、SoC面積縮小 55%,由於不需要 EUV 技術所以無需要 ASML 最新的 EUV 光刻機,將會成為中國半導體晶片生產的新希望 。

 

隨著制程不斷進步,SMIC 沿用的 DUV 深紫外光刻機已經無法滿足精度的要求,去年 SMIC 想向 ASML 購買 EVU 光刻機但受到美國阻撓,令中國知道核心技術的重要性,為降低美國對中國半導體行業的打撃,中芯國際 (SMIC) 正進行去美國化計劃,在年底前在完全不使用外國技術及設備下,實現全國產技術的 40nm 晶片試產,並且期待在 3 年內生產更先進的 28nm 制程,期望在技術上可做到自給自足。

 

 

SMIC

 

 

 

 

 

 

 

 

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