目前，AMD 及 Intel 都雙雙部署全新「DDR5 計劃」，如無意外的話最快在明年就會有支援 DDR5 記憶體的非消費級平台推出，作為全球三大 DRAM 半導體廠之一的 SK Hynix 在今日宣佈正式推出全球首款 DDR5 DRAM 產品，率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的傳輸速度，比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍，頻寬也高達 4 1.6GB/s，工作電壓亦降至 1.1V， 配合 TSV 封裝能夠組成容量高達 256GB 容量的 DDR5 模組。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功開發旗下首款 16Gb DDR5 DRAM，及後 SK Hynix 與 System On Chip 開發公司等不同企業共同運營現場分析研究室，並通過共同執行系統級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產品的性能驗證。與此同時，SK Hynix 還與多間公司緊密合作，進行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等構成模組的主要部件的兼容性驗證，在經過各種驗證及相容性測試後，目前已經可以推出市場。

根據官方的資料顯示，SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 產品基於 1Ynm 製程 ( 相當於 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片，用上 TSV ( through-silicon-via ) 封裝技術可大幅增加 DDR5 的容量，單條最高可達到 256GB 容量。不僅如此，全新 DDR5 的產品工作電壓亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V，成功減少了 20% 的功耗。

除了大幅增加的容量之外，DDR5 的最大賣點就是進一步拉高 DDR 記憶體的速度，相比上代 DDR4 可提供 1,600Mbps - 3,200Mbps 傳輸，SK Hynix 指出初版的 DDR5 傳輸速率可以高達 4,800Mbps - 5,600Mbps，比 DDR4 最多提升 1.8 倍。在5,600Mbps 傳輸速度的情況下，能夠在短短 1 秒時間內傳輸 9 部全高清 ( Full-HD, FHD ) 電影。

SK Hynix DDR5 DRAM 的另一個顯著特徵是其晶片內置 ECC memory ( Error Correction Code ) 記憶體修正錯誤功能，能夠依靠自身功能修復 DRAM 單元（cell）單字節單位的錯誤，亦因為內置 ECC 功能讓 SK Hynix DDR5 DRAM 的系統的可信賴度有望提升二十倍。

SK Hynix 官方表示，與 Intel 等的核心客戶維持緊密的合作關係，同時亦有向 OEM 廠商提供 DDR5 DRAM 樣品及進行了產品測試，目前已能夠完成一系列性能測試、兼容性驗證等程序，代表 SK Hynix 已準備好將 DDR5 新品推出市場。