2020-12-01
Sub 1nm 來了 !!摩爾定律停不下來 !!
ASML 已完成 1nm 制程 EUV 光刻機設計
文: KK Wong / 新聞中心
文章索引: IT要聞 半導體

甫結束的 ITF Japan 2020 大會上, 比利時半導體公司 imec 公佈了與 ASML 合作研發的新一代高解析度 EUV 光刻技術 ( High NA EUV Lithography) 的成果,強調「Moore's Law 並不會停下來」,ASML 已為 3nm、2nm、1nm 甚至是 Sub 1nm 所需的 EUV 光刻設備,預計首款 NXE 5000 系列 High NA EUV 光刻機會在 2022 年底前實現商業化。

 

據 imec 首席執行官暨總裁 Luc Van Den Hove 指出,該公司與 ASML 緊密合作,共同開發下一代高解析度 EUV 光刻技術並取得突破,即使制程到達了 1nm 甚至更小,制程微縮化仍然會繼續,Moore's Law 並不會停下來。

 

imec 在 ITF Japan 2020 大會上展示了邏輯電路的發展方向,當中 PP 是聚碳酸酯佈線的間距 (nm),而MP是精細金屬的佈線間距 (nm),可以看到 FinFET 技術到了 3nm 將會出現屏障,業界將會向著 BPR、CFET 及 2D Atomic Channels 等技術發展。

 

 

ASML

 

 

現時,TSMC 與 SAMSUNG 在 7nm 制程中使用了 NA = 0.33 的 EUV 光刻設備,並透過插值的方式實現 5nm 制程,但到了 2nm 或以後就必需使用到更高解析度的光刻設備,ASML 已經完成了 High NA EUV Lithography 光刻機的基本設計,型號為 NXE 5000 系列,其 NA = 0.55 並預計在 2022 年實現商業化,預期 3nm、2nm、1.5nm 、1nm 甚至 Sub 1nm 制程都能完全應付。

 

 

ASML

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