為追求更大容量、更低價格，現時不少主流級 SSD 產品都轉用 QLC NAND Flsh，但讓人擔心的是 QLC 的 P/E 擦寫次數非常低，最多也能做到約 800~1,000 次，有夠短命，不過 IBM 正在研發全新的 NAND Flash 控制器，優化算法可以將 QLC NAND Flash 的 P/E 擦寫次數 16,000 次，甚至比 SLC 還要多，有夠誇張。

首次我們要先知道一些 NAND Flash 基本特性，隨著 MLC、TLC、QLC 及 PLC 技術升級，由於需要更複雜的電壓層級控制，令 P/E 壽命因而降低了，另外製程工藝升級亦會令P/E壽命下降。

究竟下降有多嚴重呢 ? 從 DRAMeXchange 報告指出， SLC 採用老舊的 5xnm 制程 P/E 壽命可達 11,000，但轉用先進的 1xnm 制程，P/E 壽命會下降至只有約 5,000 次，和 3xnm的 MLC 的 P/E 壽命相約。

現在 TLC SSD 已經成為了主流，大約可以看到它在 1xnm 制程下只餘下 500次，如果轉入 QLC 的話會跌至 70 次，PLC 就更慘大約只有 35次，理論上就是全寫滿 35次就要升天了。

以上數據均為 2D NAND Flash 下的表現，換上 3D NAND Flash 更多層堆疊再加上較老舊的制程，壽命可能會好一點，但 QLC 如果技術沒改進，最多壽命就是約 800~1,000 次。

IBM NAND Flash 事業群 CTO Andy Walls 公佈，IBM 正研發全新的 NAND Flash 控制器，加入了監視、區分 NAND Flash 健康度的演算法，健康度較佳的 NAND Flash 會被放置經常暫存的收據，健康度變低的 NAND Flash 則會存放短期內不被變更的數據，透過此演算法令 QLC 寫入壽命延長了 2X，再加上 IBM 的 Super SLC Cache 演算法，透過全新的壓縮技術將 SLC Cache 實際容量提升了 3 倍，經優化後 TLC NAND Flash 可實現等效 18,000 P/E，QLC NAND Flash 則達至等效 16,000 次。