2021-03-25
原子層沉積技術 + 電荷阱氮化物結構
SK Hynix : 3D NAND 極限是 600 層堆疊
文: Matthew Chan / 新聞中心

SK Hynix 於 2021 IEEE 國際儲存研討會上,執行長 Seok-Hee Lee 發表主題演講中指出,現時 NAND Flash 的發展重點並不是更先進的制程,也不是 QLC、PLC 技術,而是堆疊層數將不斷增加,現時 SK Hynix 已量產 176 層的 NAND Flash,原本預計 3D 堆疊極限會是約 500 層,但 SK Hynix 已找到新的技術將極限推展至約 600 層。

 

要做到 600 層的 3D NAND Flash,需要在技術方面進行更多創新突破,其中一個重點是加入原子層沉積 (ALD) 技術,能在堆疊層數大大增加後依然保持電荷一致性。

 

此外,為了解決薄膜應力 film stress 問題,SK Hynix 加入了獨立的電荷阱氮化物 (CTN) 結構,解決堆疊層數增加後存儲單元之間的干擾,電荷丟失問題。

 

更多的堆疊層數突破,意味着單顆 NAND Flash 顆粒容量可以達到 8TB 甚至更高,這確實有點嚇人。

 

 

SK Hynix

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