2021-05-18
台大、麻省理工與 TSMC 成功研發
2D 物料取代「矽」 挑戰 <1nm 制程領域
文: Matthew Chan / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 半導體 TSMC

國立台灣大學 NTU、美國麻省理工學院 MIT與 TSMC 台積電聯手,成功研發新興物料取代「矽」,有能力實現 1nm 以下制程技術,為半導體領域帶來新出路,該項研究已登上 Nature 國際期刊。

 

據了解,現時半導體技術採用「矽」作為主要材料,但發展至 3~5 nm 節點已接近極限,半導體界認為「二維材料」 (2D atomic channels) 將會是取代「矽」的新興半導體最佳出路,但一直因為高電阻問題未能再進一步。

 

NTU、MIT 與 TSMC 於 2019 年開始合作,首先 MIT 研究團隊成功在「二維材料」中加入半金屬「鉍」(Bi),大幅降低電阻性令晶片電流得以提高,TSMC 研究團隊再改進「鉍」沉積制程,NTU 研究團隊再成功運用氦離子束微影系統 Helium-ion beam lithography,將元件通道縮減至 nm 級別,成功取得了半導體的新突破。

 

結合半金屬「鉍」後,「二維材料」能達至極低的電阻,甚至接近量子極限,將有助實現 1nm 或以下制程,作為未來半導體領域的新出路。

 

 

 

ASML
▲ 1nm 以下將採用二維材料

 

 

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