AMD 1 日於台灣 Computex 大會上，展示了一款經改良的 Ryzen 9 5900X處理器，聲稱加入了全新 3D V-Cache 垂直堆棧的方式，在原來的 CCD 晶片上再堆疊了 64MB SRAM，作為額外的 L3 Cache 使用，令 Ryzen 9 5900X 的性能進一步提升 15%，蘇媽表示配備 3D V-Cache 緩存的 Ryzen 處理器將會在今年底上市，因此很大機會就是傳說中的 Zen3+ 微架構、Ryzen 6000 系列。

現時 Ryzen 9 5900X 12 核心處理器是由 2 顆 CCD 晶片與 1 顆 IOD 晶片組成，每顆 CCD 擁有 64MB SRAM 合共 128MB L3 Cache，不過 AMD 針對現有 Ryzen 9 5900X 處理器作出改良，CCD 晶片中加入 3D V-Cache 技術，增加了 64MB SRAM 令 L3 Cache 容量進一步增至 192MB。

傳聞中的 Ryzen 9 6900X 處理器原理

據了解，AMD 在 CCD 晶片與 SRAM 晶片之間使用了直連銅間結合與 TSB 矽與矽通道技術，實現了混合式 Cache 緩存設計， 展示了這顆 3D V-Cache 的處理器原理，雖然 CCD 微架構與 Ryzen 9 5900X 一樣，但加入了 64MB 3D V-Cache 後，遊戲性能平均提升了 15% 之多。

蘇媽表示配備 3D V-Cache 緩存的 Ryzen 處理器將會在今年底上市，由於時間與 Zen 3+ 上市場間吻合，因此很大機會就是傳說中的 Zen3+ 微架構、Ryzen 6000 系列。