2021-06-01
Zen 3+ 微架構新增 3D V-Cache 技術!?
AMD Ryzen 9 6900X 改造後性能升 15%
文: Matthew Chan / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 處理器 AMD

AMD 1 日於台灣 Computex 大會上,展示了一款經改良的 Ryzen 9 5900X處理器,聲稱加入了全新 3D V-Cache 垂直堆棧的方式,在原來的 CCD 晶片上再堆疊了 64MB SRAM,作為額外的 L3 Cache 使用,令 Ryzen 9 5900X 的性能進一步提升 15%,蘇媽表示配備 3D V-Cache 緩存的 Ryzen 處理器將會在今年底上市,因此很大機會就是傳說中的 Zen3+ 微架構、Ryzen 6000 系列。

 

現時 Ryzen 9 5900X 12 核心處理器是由 2 顆 CCD 晶片與 1 顆 IOD 晶片組成,每顆 CCD 擁有 64MB SRAM 合共 128MB L3 Cache,不過 AMD 針對現有 Ryzen 9 5900X 處理器作出改良,CCD 晶片中加入 3D V-Cache 技術,增加了 64MB SRAM 令 L3 Cache 容量進一步增至 192MB。

 

 

3D V-Cache

傳聞中的 Ryzen 9 6900X 處理器原理

 

據了解,AMD 在 CCD 晶片與 SRAM 晶片之間使用了直連銅間結合與 TSB 矽與矽通道技術,實現了混合式 Cache 緩存設計, 展示了這顆 3D V-Cache 的處理器原理,雖然 CCD 微架構與 Ryzen 9 5900X 一樣,但加入了 64MB 3D V-Cache 後,遊戲性能平均提升了 15% 之多。

 

蘇媽表示配備 3D V-Cache 緩存的 Ryzen 處理器將會在今年底上市,由於時間與 Zen 3+ 上市場間吻合,因此很大機會就是傳說中的 Zen3+ 微架構、Ryzen 6000 系列。

 

 

 

3D V-Cache

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