2021-06-30
Intel Xeon 將內建 64GB HBM2e 記憶體
就算沒插 DDR5 記憶體也能正常運作 !!
文: Matthew Chan / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT港聞 處理器 INTEL

Intel 29 日於 ISC 2021 大會上透過了更多代號 Sapphire Rapids、下代 Xeon Scalable 處理器的細節,將會支援 DDR5 記憶體、PCIe 5.0、CLX 1.1 互連協定,並且首次加入 AMX 進階矩陣廣展指令集,為 AI 深度學習推理進行加速,更重要是部份 Sapphire Rapids 將內建 HBM2e 高速記憶體。

 

據 Intel 指出,CPU 記憶體寬頻嚴重不足,就算是 8 Channel DDR4-3200 記憶體也只能提供約 204GB/s 頻寬,根本無法滿足 CPU 大約 1TB/s 的吞吐量需求,就算升級至 DDR5 記憶體也不足夠,因此 Intel 將會在部份 Sapphire Rapids 處理器型號中加入 HBM2e 記憶體。

 

HBM2e 記憶體單顆最大容量為 16GB,並且可提供最高 460GB/s,Sapphire Rapids 最多可內建 4 顆 HBM2e 記憶體,最大容量可達 64GB、最高提供 1.84TB/s,完全可滿足 HPC 與 AI 運算加速需求。

 

具備 HBM2e 記憶體的 SapphireRapids 處理器,就算不插入 DDR5 記憶體仍然能正常運作,同時亦可支援 Intel Optane Memory 令隨機讀寫能力提升多 2.6 倍。

 

現時已得悉 Sapphire Rapids 處理器將會於2022 年 Q1 量產、Q2 正式上市,最多具備 80 CPU Cores 核心,圖下為加入了 HBM2e 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器工程樣本。

 

 

Xeon

 

 

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