2021-08-02
KIOXIA 宣佈研發 HLC NAND 顆粒
儲存密度比 QLC 高 50%  PE 不到 100 次
文: Roy Chan / 新聞中心

KIOXIA (前身為 TOSHIBA) 宣佈正投入研發 HLC NAND Flash 顆粒,相較現時的 QLC NAND Flash 顆粒,其存儲密度將提升 50%,同時堆疊層數亦會提升至 600~1000 層,雖然預估量產後 PE 壽命將不到 100 次,但由於存儲容量會相當誇張,這意味著很久才會寫滿一次 SSD。

 

隨著 NAND Flash 的演進,現在 SLC、MLC 顆粒已基本上消失在家用 SSD 產品中,目前是由 TLC 與 QLC 為主流,並且開始向著 PLC 前進,所謂的 PLC 就是每 Cell 存儲 5 bits,要儲存更多的資料就需要更多的電壓層級。

 

舉例 QLC 是電壓層級就有 24 即 16 個不同電壓狀態,PLC 則是 25 是 32 個,如果要提升至 HLC 則需要 26 高達 64 個電壓層級,這對於 NAND Flash 控制器來說是極大的挑戰,因此 64 個不同電壓訊號需要非常準確不能出現干擾,否則資料就會出現錯誤。

 

雖然技術難度非常高,但 HLC 的存儲密度比 QLC 要高出 50%,對於廠商們來說是非常吸引,不僅每 GB 成本會進一步下降,同時而意味儲存容量會大幅提升。

 

雖然 HLC NAND Flash 的 PE 壽命將不到 100 次,但由於堆成層數會大幅增至 600 至 1000 層,HLC NAND Flash 存儲容量會相當誇張,意味著很久才會寫滿一次 SSD,能放入更多的 Cold Data。

 

 

HLC

 

 

 

 

 

 

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