據市場機調 DRAMeXchange 表示， DDR2 667Mhz 1Gb 價格在 10 月底跌破現金成本 1 美元後，仍緩跌至 0.6 美元，來到廠商的材料成本，令 DRAM 廠在不堪虧損下，減產幅度愈來愈大，第四季台灣廠商 12 吋約當產能已減產近 30% ，韓系廠商在海力士停掉 8 吋產能後，十二月再減 12 吋產能約 20% ，即使三星未減產，韓系廠商總產能在第四季仍減少 16% ，加上適逢台灣農曆過年，台系 DRAM 廠甚至延長休假至 2 周，明年第一季現貨價可望回升至 1 美元水平。

據 DRAMeXchange 表示，預估 DRAM 第一季產能持續下降，產效應持續發酵，明年一月至三月全球產出持續負成長，在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下， DRAM 合約價僅可望落底，上漲動能較弱，只有現貨價有機會在新年前出現回溫。

上週 (12/16-12/22) 現貨市場顆粒急攻大漲逾四成 ( 截稿為止 ) ， DDR2 1Gb eTT 顆粒價格自 0.6 美元上漲至 0.89 美元，漲幅達 48.3% ，而 DDR2 667Mhz 1Gb 顆粒亦從 0.58 美元上漲至 0.78 美元，漲幅亦達 34.5% 。

在財務壓力下，台系廠商最早被迫減產，而台系廠商為現貨市場主要供應者，其銷貨至現貨市場比例：力晶為 90% ，茂德：超過 50%( 含銷售給金士頓 ) ，南科： 30% ，而國際大廠的現貨銷售比例均僅有 5% 或更低。明年第一季，在力晶 P1 、 P2 、 P3 的總投片量持續下降下，產出大減，但其供應給合作夥伴爾必達的量維持不變，將使力晶本身的供貨驟減。以力晶十一月產出，約 100 M/1Gb 約當，扣除給爾必達 40M ，可銷售顆粒為 60M 。明年一月在減產效應下，產出預估 70M ，扣除爾必達的 40M ，僅有 30M 。供貨減少一半，且二月、三月供貨量在今年十二月、明年一月的投片量更低下，可銷售顆粒少於 30M/1Gb 。

同時茂德減產幅度更大，南科在十一月亦減產 30%( 華亞科 + 自有 12 吋廠 ) 。台系廠商減產，直接衝擊現貨市場供應。明年第一季，現貨價將扭轉持續低於合約價 20% 以上的局面，現貨價有機會上漲高於合約價 20%-30% 。 1Gb eTT 顆粒供應將大為減少。因此價格有機會上攻至 1- 1.2 美元。

DRAM 十二月下旬的合約價則在電腦系統廠保守看待明年第一季銷售量， DRAM 需求量低，合約價再度下跌逾 10% ， 1GB 與 2GB 記憶體模組平均價格落在 8 美元及 16 美元左右。 DRAM 廠表示價格已接近底部，希望明年第一季力守持平，看需求情況是否有機會調漲。

此波 DRAM 寒流衝擊下，使不輕言減產的 DRAM 廠，減產幅度甚至高達 50%-70% ，甚至考量以 “ 接單式生產 ” ，以確保不會生產超過需求。繼韓國、台灣政府，德國政府也正式紓困德國 DRAM 廠奇夢達，雖外界質疑各國的紓困，不利 DRAM 產業復甦。但實際上，政府紓困僅能救急，就其紓困金額而言，都僅能供短期營運資金， DRAM 廠還是得 ” 減產 ” 以自救。期待全球性減產，能將 DRAM 的供過於求惡化轉為平衡，使低迷的價格得以回到廠商 ” 現金成本 ” 之上。

DRAMeXchange 認為，在 DDR2 價格未回到 “ 現金成本 ”1 美元， DRAM 廠商將在壓力下持續減產。