CORSAIR RM1000x SHIFT 1000W特色：

●通過80PLUS金牌、CYBENETICS GOLD及噪音A級認證，降低廢熱產生，節省電能消耗及電費支出

●側插式設計，模組化插座位於電源側面，即使電源安裝在機殼內依舊容易插拔，搭配黑色帶狀模組化線組

●提供1條雙8P轉12VHPWR接頭模組化線材，支援新款顯示卡

●處理器12V供電提供2個EPS 4+4P接頭，支援Intel/AMD處理器及主機板平台

●採用主動功率因數修正、全橋諧振及同步整流12V功率級，單路12V輸出，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率

●採用140mm FDB風扇，搭配ZERO RPM模式，低負荷下風扇停止運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡

●採用日系105℃電解電容，加強可靠度及耐用度，並提供10年產品保固

CORSAIR RM1000x SHIFT 1000W輸出接頭數量：

ATX24P：1個

EPS 4+4P：2個

12VHPWR：1個(雙8P轉換)

PCIE 6+2P：7個

SATA：16個

大4P：8個

外盒正面有商標、ATX 3.0/≦450W PCIe 5.0字樣、SHIFT側插式說明、產品外觀圖、產品名稱、10年保固圖示、80PLUS金牌認證。

外盒背面有商標、產品名稱、產品外觀圖、CYBENETICS GOLD/噪音A級標誌、10年保固圖示、80PLUS金牌認證、ZERO RPM MODE標誌、外觀三視圖/尺寸規格、多國語言特色說明、轉換效率圖表、風扇噪音VS負載圖表、輸入/輸出規格表。

外盒上側面有商標、產品外觀圖、POWER PLAY字樣、產品名稱。外盒下側面有商標、相容規範、包裝內容、模組化線材數量/接頭配置圖、回收資訊、安規認證、廠商資訊、產地、條碼。

外盒左/右側面有商標、產品外觀圖、產品名稱。

打開外盒，內側印上電子說明書連結 QR 碼

包裝內容有電源本體、安全資訊文件、塑膠束線帶、固定螺絲、模組化線組。

CORSAIR RM1000x SHIFT 全模組 PSU 實測本體尺寸為 150 x 86 x 180mm。

直接在外殼沖壓加工三角形孔洞風扇護網，中間六角形有商標。

本體背面的標籤有商標、產品名稱、型號、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、警告訊息、廠商資訊、安規認證、條碼、產地。

於總開關及交流輸入插座處貼上多國語言”系統在低負載情況下，靜音模式會自動開啟，電源風扇停止轉動”注意貼紙。

本體三角形孔洞網狀出風口處設有電源總開關、交流輸入插座，總開關下方有商標。

一般電源會在這一面外殼設置模組化輸出插座，因為此款電源採側插式設計，所以什麼都沒有。

本體兩側，其中一面有商標及產品名稱的裝飾貼紙，另一面設置模組化輸出插座，全部採用 Molex Micro-Fit 3.0 插座，並標示連接裝置名稱及限用 CORSAIR 原裝 Type 5 模組化線材。

CORSAIR RM1000x SHIFT 重新設置的側面板（正在申請專利），為用家帶來清晰地視野，並能夠方便地接入模組上的所有 micro-fit 介面，使連接和維護電纜變得輕而易舉。這設計不僅使連接和拆卸線纜變得更容易，還意味著線纜在連接到連接器時不會出現彎曲或扭曲的現象，從而減少了線纜受到的拉力，也能打造更整潔的主機殼。

因為電源端模組化輸出插座改成Molex Micro-Fit 3.0插座，模組化線材連接電源供應器這端的接頭也改成Molex Micro-Fit 3.0插頭，ATX24P使用10P+18P(右上1)，12VHPWR使用8P+8P(右上2)，EPS 4+4P/PCIE 6+2P使用8P(上排)，SATA/大4P使用6P(下排)。

Molex Micro-Fit 3.0插頭 (左) 與目前普遍使用的 Molex Mini-Fit 插頭 (右) 的外觀大小差異。

1 條主機板電源黑色帶狀模組化線路，提供 1 個 ATX24P 接頭，線路長度 60.5 公分。

ATX24P 接頭未提供負 12V 針腳，所以會有 2 個空腳位 (另 1 個是已經取消已久的負 5V )。

2 條處理器電源黑色帶狀模組化線路，提供 2 個 EPS 4+4P 接頭，線路長度 64.5 公分

1 條雙 Micro-Fit 3.0 8P 轉 12VHPWR 黑色帶狀模組化線路，接頭未標示功率，線路長度 64.5 公分。12VHPWR 接頭上未標示功率，S4/S3 都接至 COM，為 600W 定義，S2/S1 空接(沒有線路)

CORSAIR RM1000x SHIFT 模組化線材中間使用3條塑膠束線帶固定。

5 條顯示卡電源黑色帶狀模組化線路，提供 7 個 PCIE 6+2P 接頭，3 條為單接頭配置，線路長度 64.5 公分；2 條為雙接頭配置，至第一個接頭線路長度 64.5 公分，接頭間線路長度 10.5 公分

4 條 SATA 接頭黑色帶狀模組化線路，提供 16 個直角 SATA 接頭，至第一個接頭線路長度 46 公分，接頭間線路長度 10.5 公分。

2 條大 4P 接頭黑色帶狀模組化線路，提供8個省力易拔大 4P 接頭，至第一個接頭線路長度 45 公分，接頭間線路長度 10 公分。未提供小 4P 接頭或轉接線

將所有模組化線路插上的樣子

12VHPWR 模組化線路的 2 個Molex Micro-Fit 3.0 8P 插頭連接處近照。

因為線組連接處在電源側面，機殼右側面必須要有足夠預留空間，才能降低線材擠壓程度。將線組連接面朝上，讓模組化線路隨重力自然下垂，不施外力彎曲，其彎曲高度 46mm

12VHPWR 模組化線路隨重力自然下垂，不施外力彎曲，其彎曲高度 32mm。

內部結構及使用元件說明簡表

此款電源由 Power Plus/CWT 代工，採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振，二次側 12V 同步整流，並經由 DC-DC 轉換 3.3V/5V，未提供負 12V 輸出。

使用 CORSAIR NR140P 14 公分 12V/0.22A 風扇，並設置氣流導風片。

所有元件都移到電路板正面，背面沒有元件，焊點整體做工良好，大電流線路有額外敷錫處理，12V 迴路部分區域增加金屬板。

交流電源線的磁芯有包覆套管。總開關未串接交流電源線，而是接至輔助電源電路子卡(紅色箭頭)，直接控制輔助電源 ON/OFF。總開關及線路有包覆套管

交流輸入插座焊點加上 1 個 X 電容 (CX1)、2 個 Y 電容 (CY1/CY2)，焊點處未包覆套管。

X 電容本體及接腳包覆套管，底部小電路板有X電容放電IC及隨附電阻

主電路板上 EMI 濾波電路有2個共模電感 (CM1/CM2)、1 個 X 電容 (CX2)、4 個  Y電容 (CY3/CY4/CY5/CY6)，CM 2共模電感外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，臥式安裝的保險絲及突波吸收器有包覆套管。

2 顆 GBJ2506 橋式整流器安裝在散熱片的 2 個面上

APFC 功率元件安裝在散熱片上，共有 3 個 Infineon IPA60R125P6 全絕緣封裝 MOSFET 及 1 個 Infineon IDH10G65C6 二極體，散熱片另一面有溫度開關。封閉磁芯 APFC 電感旁的 NTC 熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，在電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除 NTC 所造成的功耗損失

APFC 電容採用 1 個 Nippon Chemi-con 400V 470µF KMW 系列及 1 個 Nichicon 400V 560µF GG 系列 105℃ 電解電容並聯，總容值為 1030µF。

APFC電路控制子卡上有虹冠電子 CM6500UNX 及 Sync Power SPN5003

輔助電源電路子卡上有 On-Bright OB2365T

輔助電源電路變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶，右側為輸出端 Nippon Chemi-con/Nichicon 電解電容

一次側散熱片上有 4 個 Infineon IPA60R190P6 全絕緣封裝 MOSFET，安裝在散熱片的兩側

1 個諧振電感與 2 個相疊的諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電容旁為一次側電流偵測用比流器。諧振電感及 2 個一次側 MOSFET 隔離驅動變壓器外包覆黑色聚酯薄膜膠帶

12V 功率級主變壓器

主變壓器旁 6 個 Infineon BSC014N06NS MOSFET 組成二次側 12V 同步整流電路，使用金屬散熱片協助散熱。

功率級控制子卡上的虹冠電子 CU6901VAC 負責 12V 功率級一次側諧振及二次側同步整流控制。

12V 輸出的 9 個 Nippon Chemi-con 固態、4 個 Nichicon 電解電容及 1 個環狀磁芯電感

3.3V/5V DC-DC 子卡，最上方 4 顆 UBIQ QN3107M6N MOSFET 為 3.3V/5V 功率級，中間 µP3861P 雙通道同步降壓 PWM 控制器負責控制 3.3V/5V 功率級。2 個環狀電感周圍有輸入/輸出用 Nichicon固態電容，2 個分流器偵測 3.3V/5V 輸出電流。

模組化輸出插座板背面設置內嵌銅箔的隔板

模組化插座板正面，Molex Micro-Fit 3.0 插座之間設置 22 顆 Nichicon 固態電容及 2 顆 Nippon Chemi-con 固態電容，加強輸出濾波/退耦效果

模組化插座板正面左側有 Microchip PIC16F1503-I/SL 微控制器及 Weltrend WT7502R 電源管理 IC，後者負責監控輸出電壓、接受 PS-ON 信號控制、產生 Power Good 信號

電源實測︰

110V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 的空載功耗 2.15W

110V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 於 20%/50%/100% 下效率分別為 90.52%/91.88%/89.86%，符合 80PLUS 金牌認證要求 20% 輸出 87% 效率、50% 輸出 90% 效率、100% 輸出 87% 效率

110V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 於 10%/20%/50%/100% 的交流輸入波形 (黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50% 輸出下功率因數為 0.9878，符合 80PLUS 金牌認證要求 50% 輸出下功率因數需大於 0.9 的要求。

220V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 的空載功耗 1.93W

220V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 於 20%/50%/100% 下效率分別為 91.83%/93.49%/92.09%

220V 輸入時 Corsair RM1000x Shift 於 10%/20%/50%/100% 的交流輸入波形 (黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)

Corsair RM1000x Shift 於 110V 輸入(藍線)及 220V 輸入(紅線)的轉換效率折線圖

110V 輸入的綜合輸出負載測試，輸出 58% 時 3.3V/5V 電流達 18A 以後就不再往上加，3.3V/5V/12V 電壓記錄如下表

110V 輸入下綜合輸出 6% 至 100% 之間 3.3V 輸出電壓最高與最低點差異為 36.2mV

110V輸入下綜合輸出 6% 至 100% 之間 5V 輸出電壓最高與最低點差異為 35.8mV

110V 輸入下綜合輸出 6% 至 100% 之間 12V 輸出電壓最高與最低點差異為 26mV

110V 輸入的偏載測試，這時 12V 維持空載，分別測試 3.3V 滿載 (CL1)、5V 滿載 (CL2)、3.3V/5V 滿載 (CL3)的 3.3V/5V/12V 電壓變化，並無出現超出 ±5% 範圍情形 (3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)

110V 輸入的純 12V 輸出負載測試，這時 3.3V/5V 維持空載，3.3V/5V/12V 電壓記錄如下表

110V 輸入下純 12V 輸出 5% 至 99% 之間 3.3V 輸出電壓最高與最低點差異為 28.6mV

110V 輸入下純 12V 輸出 5% 至 99% 之間 5V 輸出電壓最高與最低點差異為 28.6mV

110V 輸入下純 12V 輸出 5% 至 99% 之間 12V 輸出電壓最高與最低點差異為 34mV

110V 輸入下 12V 低輸出轉換效率測試，輸出 12V/1A 效率 71.2%，輸出 12V/2A 效率 78.9%，輸出 12V/3A 效率 82.1%

110V 輸入時電源PS-ON信號啟動後直接 3.3V/18A、5V/18A、12V/70A 滿載輸出下各電壓上升時間圖，從 12V 開始上升處當成起點 (0.000s)時，12V 上升時間為 24ms，5V 上升時間為 5ms，3.3V 上升時間為 5ms

110V 輸入時 3.3V/18A、5V/18A、12V/70A 滿載輸出下斷電的 Hold-up time 時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s) 時，12V 於 24ms 降至 11.38V (圖片中資料點標籤)

以上波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形，110V輸入下輸出無負載時有鋸齒狀漣波。輸出12V/1A時漣波頻率增加

110V 輸入下輸出 12V/2A 至 3A 時漣波頻率增加。輸出 12V/4A 時漣波波形改變

110V 輸入下輸出 12V/5A 時 12V 漣波波形改變。輸出 12V/6A 以上漣波波形固定，只改變振幅

110V 輸入時於 3.3V/18A、5V/18A、12V/70A (綜合全負載) 輸出下，12V/5V/3.3V 各路低頻漣波分別為25.2mV/25.6mV/23.2mV，高頻漣波分別為 20mV/25.6mV/24mV

110V 輸入時於 12V/82A (純12V全負載) 輸出下，12V/5V/3.3V 各路低頻漣波分別為 24mV/23.2mV/20.8mV，高頻漣波分別為 19.2mV/22.4mV/21.2mV

110V 輸入下12V 啟動動態負載，變動範圍5A 至 25A，維持時間 500 微秒，最大變動幅度為 248mV，同時造成 5V 產生 38mV、3.3V 產生 54mV的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載，變動範圍 25A 至 50A，維持時間 500 微秒，最大變動幅度為 252mV，同時造成 5V 產生 58mV、3.3V 產生 68mV 的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載，變動範圍 10A 至 67A，維持時間 500 微秒，最大變動幅度為 490mV，同時造成 5V 產生 76mV、3.3V 產生 86mV 的變動

110V 輸入下 12V 啟動動態負載，變動範圍 20A 至 83A，維持時間 500 微秒，最大變動幅度為 606mV，同時造成 5V 產生 82mV、3.3V 產生 92mV的變動

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下內部的紅外線熱影像圖 (附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC MOSFET/APFC DIODE/APFC電感(上圖)及一次側/諧振電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

110V 輸入時電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側(上圖)及 DC-DC MOSFET (下圖)的紅外線熱影像圖 (附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

110V 輸入時單條 EPS 4+4P 連續輸出 28A (336W) 10 分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖 (附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

110V 輸入時單條 PCIE 6+2P (單頭) 連續輸出 21A(252W)10 分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

110V 輸入時單條PCIE 6+2P (雙頭) 連續輸出 21A (252W) 10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

用隨附的12VHPWR模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試

執行 FURMARK 30 分鐘後，電源端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

執行FURMARK 30分鐘後，顯示卡端插頭的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)

本體及內部結構心得小結：

○採用側插式全模組化設計，模組化插座及黑色帶狀模組化線材採用Molex Micro-Fit 3.0連接器，提供1個ATX 24P、2個EPS 4+4P、1個雙8P轉12VHPWR、7個PCIE 6+2P、16個直角SATA、8個省力易拔大4P，未提供小4P接頭或轉接線。ATX24P的負12V輸出針腳空接

○12VHPWR接頭的S4/S3接至COM，為600W定義，S2/S1空接未設線路

○風扇護網直接沖壓在外殼上，具備ZERO RPM功能，於低負載下風扇停止運轉，待負載提高後才會啟動並採溫控運轉

○交流輸入插座焊點有2個Y電容、1個X電容，X電容底部小電路板有X電容放電IC，焊點沒有包覆套管。總開關控制輔助電源電路ON/OFF，不直接控制交流輸入。磁芯/總開關/總開關線路/X電容/X電容接腳/主電路板保險絲/突波吸收器有包覆套管

○電路板背面沒有任何元件，焊點整體做工良好，大電流線路有敷錫處理，12V迴路部分區域加上金屬板

○採用一次側主動功率因數修正及全橋諧振、二次側同步整流輸出12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V，未設置負12V轉換電路

○APFC MOSFET/APFC二極體/一次側MOSFET/二次側12V同步整流MOSFET採用Infineon，3.3V/5V DC-DC MOSFET採用UBIQ。APFC/一次側MOSFET採用全絕緣封裝

○APFC電容及其他固態/電解電容使用Nippon Chemi-con/Nichicon

○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓是否在正常範圍，並加裝微控制器

各項測試結果簡單總結：

○110V輸入時Corsair RM1000x Shift於20%/50%/100%下效率分別為90.52%/91.88%/89.86%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率

○110V輸入時Corsair RM1000x Shift的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求輸出50%下功率因數需大於0.9

○220V輸入下，Corsair RM1000x Shift於20%/50%/100%下效率分別為91.83%/93.49%/92.09%

○110V輸入的偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍

○110V輸入下電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間24ms，5V上升時間5ms，3.3V上升時間5ms

○110V輸入下綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於24ms降至11.38V

○110V輸入下輸出無負載時有鋸齒狀漣波；輸出12V/1A至3A時漣波頻率增加；輸出12V/4A至5A時12V漣波波形改變；輸出12V/6A以上漣波波形固定，只改變振幅。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為25.2mV/25.6mV/23.2mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為24mV/23.2mV/20.8mV

○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度為248mV

○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度為252mV

○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍10A至67A，維持時間500微秒，最大變動幅度為490mV

○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍20A至83A，維持時間500微秒，最大變動幅度為606mV

○110V輸入時熱機下3.3V過電流截止點在29A(145%)，5V過電流截止點在30A(150%)，12V過電流截止點在105A(126%)