SiS 25 日宣佈運軍 SSD 控制晶片組市場，其子公司 LinkVast 將推出可外掛式 DRAM 固態硬碟控制器，包括支援 8 Channel 的 LVT820 及 4 Channel 的 LVT815 ，現時已向業者提供產品樣本及設計參考供戶客作驗証測試，並預計於 2009 年第二季量產。

LVT820 和 LVT815 晶片採用 SATA II 介面設計，最高傳輸速度可達 3Gbps ，分別提供八通道 (64 位元 /64CE) 及四通道 (32 位元 /32CE) 的記憶體架構模式，適合製造成各種規格和容量的 SSD 固態硬碟；支援高達十六位元除錯修正碼技術 (16-bit ECC technology) 的機制設計，能有效提升快閃記憶體的容錯率；加上先進的動態及靜態均勻抹除寫入技術 (Dynamic & Static Wear Leveling technologies) ，更能延長固態硬碟的使用年限。

LVT820 和 LVT815 晶片使用了富彈性的快閃記憶體介面設計，能支援各快閃記憶體晶圓廠所提供先進主流的 SLC 與 MLC 快閃記憶體，其外掛式 DRAM 架構的設計，不僅有效提昇讀寫效能，與非外掛式 DRAM 的控制器晶片相較，在隨機寫入 (Random Write) 效能上，有高達 100 ~ 200 倍的差異；同時亦解決現今市場上非外掛式 DRAM 之固態硬碟控制器，在作業系統做多工處理時可能發生系統停頓的現象，由於大幅降低快閃記憶體的抹寫次數因而大大增長了 SSD 固態硬碟壽命。

LVT820 和 LVT815 晶片採用 0.11 微米製程與最新的 LFBGA 綠色環保封裝技術，其應用產品 - 快閃記憶體的固態硬碟 (SSD) 具備了零噪音、低功耗、體積小、重量輕、防震、高讀寫速度及壽命長等特性，為新一代儲存設備的主流趨勢。

據 SiS 表示，自即日起提供產品樣本和產品應用的參考設計供製造端客戶做驗證測試與設計，並預計於今年第二季導入量產。