NAND Flash 合約價格從去年底觸底反彈，據市調機構指出，儘管上游業者控制產能有成，但時序已經步入傳統淡季，不利價格走揚，而下游業者現在則必須面對成本壓力，且終端應用產品的 content per system( 平均單一產品容量 ) 的升級速率也將延遲。

以主流的 16Gb 與 32Gb 為例， 16Gb 顆粒價去年 12 月上旬合約價為 1.65 美元，今年 3 月上旬已達到 3.15 美元，平均漲幅達到 91% ；而 32Gb 顆粒合約價格也由去年 12 月上旬的 3.62 美元漲到今年 3 月上旬的 5.98 美元，平均漲幅也達到 65% ， DRAMeXchange 認為對於 NAND Flash 上下游廠商而言，價格快速攀升顯示市場策略歷經調整。

目前上游 NAND Flash 供應商以暫緩新晶圓產能擴充或漸進地淘汰部份 200mm 設備，以降低產能利用率，部份廠商也以提升製程技術來做為 NAND Flash 位元產出量的增長方式，以降低傳統淡季效應衝擊，並因應全球經濟不景氣。

對下游廠商而言，短期內面對 NAND Flash 價格大幅攀升，加上整體需求不佳，對既有產品與市場規劃帶來衝擊，去年因為 NAND Flash 價格持續下跌，舒緩成本壓力，並可藉由容量倍增以刺激終使用者購買意願，今年因為 NAND Flash 價格遽升，去年的情況恐不易重演。

對上游業者而言，去年年中後， NAND Flash 價格不斷下跌，除由於總體經濟不佳，影響終端消費者買氣外，各項與 NAND Flash 相關產品的平均搭載容量，也已經超過一般消費者的實際需求，從去年下半年開始，如何誘發消費者的購買意願，成為一項重要的課題。

此外，過去幾年來，上游大廠皆處於穩定獲利階段，雖然有更多 NAND Flash 供應商加入市場，使平均獲利下降，但整體而言，各廠仍處於獲利的狀況，因此，如何在市況低迷的情況下逆勢投產，以增加市佔率成為過去各廠相互競爭的目標。

但是，爭奪市占率的狀況在去年第四季後改觀，不論是三星 (Samsung) 、東芝 (Toshiba) 或美光 (Micron) 都面臨巨額虧損，因此，各廠的營運重心轉為如何確保獲利，近期上游廠商紛紛對產出進行調整，藉由減少供給以穩定甚至提升價格，這樣的策略已經達到初步成效。

3 月下旬 NAND Flash 合約價方面，大致以平盤開出， DRAMeXchange 表示近期多空因素相互影響使價格呈現拉拒，短期急單效應及中國市場的庫存回補需求將有助於穩定 NAND Flash 價格，但季底降低庫存、供應商製程技術升級使成本下降，讓價格面臨回軟壓力，預期 NAND Flash 合約價短期內呈現部份持平或微幅走軟。