市調機構 DRAMeXchange 指出，記憶體現貨市場 eTT 顆粒呈現近幾周少見的急漲局面， DDR2 512Mb eTT 價格收在 1.17 美元，漲幅約 11.9% ；相較之下，品牌顆粒仍呈現平穩走勢，上漲至 1.37 美元，幅度為 1.4% 。

根據 DRAMeXchange 分析指出，上周 DDR2 eTT 的強勁漲勢，是因為 eTT 主要的供應商進行 70nm 轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動；此外，這波投機性買盤主要集中在 DDR2 eTT 的顆粒，並沒有帶動品牌顆粒價格同步上漲，接下來幾周 DDR2 eTT 的供給將會大量開出，屆時 DDR2 eTT 也會再回探 1 美元。

據了解，十月是 PC 出貨旺季，也是 DELL 及 HP 的年底結帳月，兩家系統大廠皆希望將零組件庫存降低，尤其是價格持續下滑的 DRAM 。十月上旬 DDR2 UDIMM/SODIMM 模組合約價已經下降 20% ，仍難以刺激合約市場的買氣，導致十月下旬合約價繼續下跌 10% 。在合約價持續走低的情況下，的確能刺激 DRAM 搭載率的提昇，尤其在消費型筆記型電腦中， 2GB 比率已接近 60% ；若未來 DRAM 價格持續下降，年底將有機會增加至 70%-80% 。

以 DRAM 廠的成本分析來說，目前 70nm 製程轉進領先的 Elpida 、 Samsung 、 Hynix 僅約 20% 產出在 70nm 1Gb ，即使未來在 70nm 良率高又產能滿載的情況下， 1Gb 顆粒的總成本 ( 含折舊、封測 ) 最低也要 2.7-3.0 美元；而 512Mb 顆粒價格為 1.7-1.9 美元。集邦科技觀察， 2008 年 12 吋的產能擴張已趨減緩，加上 8 吋去化的產能， DRAM 2008 年的供給位元成長率將由今年的 93% 大幅下降至近 50% ；然而在 DRAM 需求方面，由於今年底消費型筆記型與桌上型電腦 2GB 的搭載率將高達七成及六成以上，明年需求成長力道將轉向商務型筆記型電腦。