三星 22 日宣佈將採用 40nm 制程量產 2Gb 容量的 DDR3 記憶體顆粒，全新的晶圓制程將令 2Gb 容量 DDR3 記憶體顆生產成本大幅降低，令 2Gb 容量顆粒加速普及化，此舉很大機會令市場預載 PC 系統記憶體容量進一步提升。

三星指出，全新 40nm 制程相較舊有 50nm 制程在相同尺寸的晶圓下提升六成生產力，令生產成本大幅下降，全新 40 奈米制程 2Gb 容量 DDR3 記憶體顆粒時脈可達 DDR3-1600 ，電壓則只需要 1.35V ，而且良率令人滿意。

據三星記憶體事業群副總裁 Jim Elliott 表示，全新 40 奈米將令 DDR3 記憶體售價進一步普及，同時容量將上升一倍，用家只需要接上用上兩組 DIMM 便能提成 8GB 容量，並保留一定的升級能力，用於伺服器市場則可令系統記憶體倍增，大幅提升伺服器運算效能。

三星引用市調機構 iSuppli 數據，指出 2Gb DDR3 顆粒於 2012 年將佔 82% 市佔，三星能搶先推出低成本的 40 奈米產品，搶下頭香並將保持記憶體顆粒龍頭地位。由於 DDR3 記憶體顆粒售價大幅下調，並與 DDR2 記憶體顆粒相距不達， iSuppli 預期 DDR3 記憶體產品將會於 2010 年超越 DDR2 成為市場主流。