市調機構 DRAMeXchange 指出，上週（ 12/3-12/10 ）現貨市場呈現近期少見的震盪格局， DDR2 512Mb eTT 顆粒價格曾一度突破 0.9 美元，最後收在 0.79 美元，跌幅 2.4% ；相反， DDR2 1Gb eTT 顆粒上漲至 1.92 美元，最後收在 1.83 美元，漲幅 10.9% 。 DRAMeXchange 認為，雖然市場上供貨量還是以 512Mb 的顆粒為主，然而單支 2GB 的記憶體模組的需求殷切，相對於 512Mb 所組成 1GB 記憶體模組更具成本優勢，不難看出 1Gb 顆粒已漸漸成為市場的主流規格，而從這次的價格漲幅就隱約嗅出世代交替的意味濃厚。

在合約市場方面， 12 月上旬 DDR2 667 1GB 記憶體模組落在 19 美元附近，相較於 11 月下旬跌幅約 10% ，主要原因是聖誕假期的採購熱潮將告一段落，加上 12 月為出貨淡季 OEM 廠商普遍拿貨的意願不高的雙重影響下， DRAMeXchange 預估 12 月下旬的合約價格仍會維持走低的態勢。

隨著上周 DDR2 eTT 1Gb 顆粒價格止跌回升， DRAM 廠減產議題再度成為各界的焦點， DRAMeXchange 進一步指出明年度促使 DRAM 價格回穩甚至於反彈的幾項利多因素，包括台系 DRAM 廠商已陸續宣佈減少明年資本支出、 Qimonda 宣佈調降歐元地區的生產比例由 40% 降至 30% 、各家 12 吋的晶圓產能擴張趨緩與 8 吋晶圓廠產能不斷去化等私。

此外， DRAMeXchange 預期 2008 年 DRAM 位元成長率將由今年的 92% 下降至 57% ，以市場面來分析，當價格跌破變動成本後，國際大廠就有可能率先減產。就現況而言， Samsung 與 Hynix 在全球 DRAM 市佔率將近 50% ，所以唯有上述兩家甚至於更多的國際大廠應做出減產的動作，明年的 DRAM 市場才有機會供需平衡， DRAM 顆粒價格才會真正的止跌回升。