據調查機構 DRAMeXchange 上週發表的 8 月份 DRAM 合約價報告指出， 8 月上旬 DDR3 記憶體合約均價持續下跌，其中 DDR3 2GB 記憶體模組合約價較 7 月下旬錄得 4.5% 跌幅，而 DDR2 2GB 則下跌近 8.75% 。此外，報告亦指出由於 PC OEM 廠逐漸增加行動電腦的 DRAM 搭載容量，預期第三季行動電腦平均記憶體搭載容量為 3GB 。

由於 DRAM 顆粒價格受到 PC OEM 廠商庫存充裕影響，令 DRAM 顆粒合約價近月持續下調，據 DRAMeXchange 發表的 8 月上旬 DRAM 合約市場價格資料指出， DDR3 2GB 記憶體模組合約均價比較 7 月下旬的 44 美元，下跌至 42 美元，跌幅約 4.5% ， DDR2 2GB 記憶體模組則下跌至 36.5 美元，下跌幅度約 8.75% ，主要原因是由於 DDR2 記憶體模組於合約市場的比重不斷下降，令 DDR2 合約價持續下跌。

同時，記憶體製程進步轉變亦間接令記憶體顆粒成本下降，其中 DRAM 顆粒進入 50nm 和 40nm 製程後，讓顆粒成本可以大幅降低，而且多家廠商主力生產 2Gb 顆粒，令有關價格得以下調，以 40nm 製程的 2Gb 顆粒為例，成本約在 1 ~ 1.2 美元間，比 50nm 製程成本可減低約 20% ，跟 60nm 製程相比更減低近 50% 。

其中以韓國廠商製程轉進速度最為快速，以 SAMSUNG 為例，其 56nm 與 46nm 製程皆以進入量產階段，同時 35nm 製程也預期於第四季開始進行，並佔第 2 四季總產出量約 5% ~ 10% 。而日本廠商方面， ELPIDA 的記憶體顆粒亦由於採用微縮製程，讓 63nm 製程的產出量能直逼 50nm 製程，而且亦讓廠商可跳過研發 50nm 製程而進入研發 45nm 製程，並預期第三季導入量產。此外部份台系廠商亦已經計劃轉換製程，並預期於第四季可全數轉至 50nm 製程與少量 40nm 製程，藉此增加產能。

另一方面， DRAMeXchange 亦表示由於 PC OEM 廠商 DRAM 庫存充裕，甚至略高，加上 DRAM 合約價因受壓而調到合理範圍，加上記憶體廠商下半年主力產出 2Gb 顆粒，令 PC OEM 廠商考慮調高 DRAM 搭載容量，據 DRAMeXchange 研究指，第三季行動電腦平均記憶體搭載容量為 3GB ，並預期第四季將攀升至 3.13GB 。