為提供高容量記憶體產品， Transcend 日前宣佈，為旗下記憶體模組產品正式導入採用 2Gbit 容量顆粒，並率先推出三款 4GB 容量 DDR3 記憶體模組產品，採用 40nm 制程技術生產，令顆粒有效減少系統耗電量，並大幅增加系統的記憶體容量。

此次發佈的三款全新 Transcend 4GB DDR3 記憶體模組分別為 DDR3 1333MHz Long-DIMM 、 DDR3 1333MHz SO-DIMM ，以及 4GB DDR3 1066MHz SO-DIMM ，料號依次為 JM1333KLN-4G 、 JM1333KSN-4G 和 JM1066KSN-4G ，均為單條 4GB 容量產品，搭載 256Mx8 FBGA 記憶體顆粒。

其中 JM1333KLN-4G 為 240-pin DDR3-1333 Long-DIMM 記憶體模組，時脈為 DDR3-1333MHz ，支援 CL9-9-9 延遲值，標準電壓為 1.5V 。 JM1333KSN-4G 與 JM1066KSN-4G 則為 SO-DIMM 記憶體模組，前者支援 DDR3-1333MHz CL9-9-9 ，後者支援 DDR3-1066MHz CL7-7-7 ，標準電壓為 1.5V 。

三款全新記憶體均符合 JEDEC （ Joint Electron Device Engineering Council ）規範，提供終保固服務，並陸續將於全球多個地區發售，目前價格待定。