市場調查機構  DRAMeXchange 25 日發表最 DRAM 調查報告，指出 DDR3 2GB 合約價格自 2010 年自上半年高位過後，其跌勢一直未有停止，截至 11 月上旬，其合約均價更跌至 25 美元，與高位比較下跌幅接近一半，同時， DRAMeXchange 更預期至年底前， DDR3 2GB 合約價格更有望持續下跌至接近 20 美元。

據 DRAMeXchange 調查報告指出，自 2010 年自上半年的 46.5 美元高位後， DDR3 2GB 合約價格一路持續下跌，其中由開始已由 9 月的 40 美元至 10 月下跌至 30 美元，而截至 11 月上旬， DDR3 2GB 合約價格更跌至 25 美元，與今年高位相比跌幅達 46% 。

主要原因是由於市道不境氣所影響，令記憶體於傳統旺季需求仍不暢旺，加上 DRAM 產出方面，除了 Samsung 基於製程優於其他同業而能夠有較佳表示外，其他廠高因為浸潤式機台移入時間集中在下半年，在產出量於第四季大增的情況下，使供應量亦隨之大幅增加，在 DRAM 廠商有銷貨上的壓力下，逼使到合約價進一步下調。

據 DRAMeXchange 估計，由於 DDR3 2GB 表現仍然不明朗，因此預期年底前合約價格仍有下跌空間，而且更有望持續下跌至接近 20 美元，即按季度跌幅近 30% 。

由於業界預期 DRAM 價格仍會出現大幅下跌，因此不少 DRAM 廠已紛紛對未來資本支出轉趨保守，其中據 DRAMeXchange Samsung Fab16 建設將會因應未來市場狀況再作調整，而不少台系廠商會把資本支出減低約 20% 至 160 億新台幣。日系廠商 Elpida 更宣稱將進行減產標準型 DRAM 月產能 6 萬片，或降低日本廣島廠標準型 DRAM 的投片量。此外，有傳 Hynix 因 44nm 良率不佳，影響第三季及第四季的產出，令記憶體廠商彌漫著一片陰霾氣氛。

展望 2011 年， DRAMeXchange 預期 2011 年 DRAM 產出全年成長在廠商加速製程轉進下仍可達 50% ，其中按各家的製程轉進狀況作預估， Samsung 35nm 製程預計明年下半年將超過 50% ，同時 Hynix 、 Elpida 、 Micron 等均預計明年第二季末量產 3Xnm 技術，而台系廠則於明年加速轉進 4xnm 以目標，令生產成本再降低，以填補 DRAM 跌價的影響。預期， DRAM 價格可望在明年第一季或第二季見底，下半年市場價格轉趨平穩。