由於先進國家市場經濟將持續復甦，加上受惠平板電腦及智慧型手機新機種上市的情況下，據市場調查機構 DRAMeXchange 25 日發表的 2011 年全球 NAND Flash 市場展望報告提及，預期 1Q11 NAND Flash 市場受淡季的影響程度將會減低，並可回復到較平穩的狀況。

據 DRAMeXchange 指出，雖然目前全球經濟復甦狀況比市場原先預期稍緩，但由於部份先進國家經濟持續復甦，加上明年 2H 電子業季節性旺季需求也可望比今年明顯改善，令 NAND Flash 需求得以進一步帶動提升，儘管上半年仍會受淡季因素影響，但在 1Q11 中國農曆年假期與平板電腦及智慧型手機新機種上市的助益，加上 NAND Flash 廠商已為明年放緩產出速度以紓緩供過於求的影響作好準備，因此預期受淡季的影響程度將會減低，其中， DRAMeXchange 更預估 2011 年 iPad 的全年出貨量將可達到 5000 萬台，令內建式 NAND Flash 的比重將大幅提升至超過 60% 。

以目前市場價格來看，季節性因素仍將會影響 NAND Flash 價格未來走勢，其中由於 NAND Flash 價格在廠商節制供給成長及改善獲利性的努力下使其價格跌幅已低於往年，可是由於製程技術提升令成本下降，因此預期期 2011 年上半年 NAND Flash 價格跌幅仍有一定水平，而且有機會大於下半年表現，不過預期較後時間將會重拾平穩。

雖然整體上 NAND Flash 價格走勢於明年仍未目明朗，但由於自 3Q10 以來，個別供應商已因應不同客戶結構及接單狀況作計劃，因此據 DRAMeXchange 預期，各廠商在制定 NAND Flash 價格時，將有一定程度上的差異， DRAMeXchange 預估 2011 年 NAND Flash 平均價格將會按年度下跌約 35% ，而全球 NAND Flash 市場銷售值，則會按年度成長約 16% 達到 US$21.5bn 。

在生產技術方面， DRAMeXchange 則預期 NAND Flash 供應商在 2011 年，位元產出的成長以製程技術升級為主，並將視市場需求狀況適度地增加新的 300mm 晶圓產能，同時也將持續淘汰一些 200mm 晶圓的設備。

製程方面，預期 2011 年各 NAND Flash 廠商的主力製程技術將由 2010 年的 4xnm & 3xnm ，轉進至 2011 年的 3xnm & 2xnm ，因此全球 NAND Flash 市場位元供給量將由 2010 年的 5232 M 16Gb equiv. 轉進至 2011 年的 9326 M 16Gb equiv. 。