11 月正式完結，據市場調查機構 DRAMeXchange 發表 11 月下旬 DRAM 成交報告，其中 DDR3 2GB 的合約均價持續下跌，低價成交價亦下跌 21 美元，由第四季開始截至目前為止，已錄得和過 30% 跌幅，據 DRAMeXchange 預估， DDR3 1Gb 合約價第四季 QoQ 價格跌幅將近四成。

自第四季以來，由於各大 DRAM 廠產出持續增加，但在需求減弱下，令到 DRAM 出現供過求情況，其中十一月下旬 DDR3 2GB 的合約均價再度下跌 12% ，價格則由 25 美元下跌至 22 美元，最低成交更達到 21 美元，跌幅超過 30% 。

其中在 DDR3 記憶體顆粒中， DDR3 1Gb eTT 顆粒均價下跌約 5% 至 1.32 美元，，不過 DDR2 1Gb eTT 顆粒均價則由於在低產量下保持平穩，但亦錄得輕微跌幅，預計 DDR3 1Gb 合約價第四季 QoQ 價格跌幅將近 40% 。此外，由於部份台系廠商所出產的 DRAM 顆粒出現良率不足問題，令市場時脈較低的 DDR3 顆粒數量增加，其價格亦跌至接近 1 美元水平。

據 DRAMeXchange 對於 2011 年市場預估，由於廠商因製程轉向至導致產能提升，但在需求仍然不足下，預期市場在上半年仍持續供給過多，而且價格更有機會耘續破底，預期在首季價格大跌後， DRAM 價格有機會於 Q2 見底其重拾回穩，可過假如需求提升不如預期，持續低迷的 DRAM 價格將迫使部份 DRAM 廠減產幅度擴大。

個別廠商表現方面，由於 SAMSUNG 製程已邁進 35nm ，使其成本結構及市佔率能夠大幅拋離對手，因此 DRAMeXchange 預估 SAMSUNG 明年可望穩奪四成或以上市佔率，即使 DRAM 價格來年仍然下跌，但 SAMSUNG 仍可在市場低迷下獲利。