320Bit 記憶體介面    1280MB 記憶體容量

GeForce GTX 570 採用 10 顆 GDDR5 記憶體顆粒

「 GeForce GTX 570 」並非旗艦級型號，因此規格上需要與「 GeForce GTX 580 」作出市場區間，除了在 SM Unit 數目外， GeForce GTX 570 減少了一組 64Bit 記憶體控制器，令記憶體介面由 384Bit 減少至 320Bit ，因此採用記憶體顆粒數目由 12 顆減至 10 顆，記憶體容量亦由 1536MB 減至 1280MB 。

記憶體顆粒方面，「 GeForce GTX 570 」採用 SAMSUNG K4G10325FE-HC05 -0.5ns GDDR5 記憶體顆粒，預設記憶體時脈為 3.8GHz DDR ，而顆粒官方規格最高速度為 4GHz DDR ，比較「 GeForce GTX 580 」採用 SAMSUNG K4G10325FE-HC04 -0.4ns GDDR5 記憶體顆粒，預設記憶體時脈為 4GHz DDR ，但顆粒官方規格最高速度高達 5GHz DDR ，在記憶體超頻能力上兩者存在差異。

「 GeForce GTX 480 」與「 GeForce GTX 570 」之間，雖然在 CUDA Core 數目上完全相同，但值得注意的是，「 GeForce GTX 480 」擁有完整 768KB L2 Cache 、 48 組 ROP 、 384Bit 記憶體頻寬，相較「 GeForce GTX 570 」僅擁有 640KB L2 Cache 、 40 組 ROP 、 320Bit 記憶體頻寬，在記憶體系統上卻存有差異。

更多的 L2 Cache 可減低讀取延誤，而更多的 ROP 可強化高解析度、反鋸齒技術性能表現，儘管「 GeForce GTX 570 」在記憶體預設時脈上相較「 GeForce GTX 480 」高出 100MHz ，但最高記憶體頻寬僅 152GB/s ，仍然無法與上代旗艦級型號的 177.4GB/s 相提並論，更重要的是「 GeForce GTX 480 」同樣採用高一級別的 SAMSUNG K4G10325FE-HC04 -0.4ns GDDR5 記憶體顆粒，在超頻潛力上「 GeForce GTX 570 」亦難以望其項背。

Samsung K4G10325FE-HC05 GDDR5 記憶體顆粒

TSMC 40nm 制程日趨成熟     Max TDP 僅 219W

功耗方面，「 GeForce GTX 570 」受惠於片內部線路設計作出改良及 TSMC 40nm 制程日趨成熟，其功耗表現相較上代高階產品存在明顯改善，對比「 GeForce GTX 470 」、「 GeForce GTX 480 」最高 TDP 約為 215W 、 250W ，在規格上「 GeForce GTX 570 較貼近「 GeForce GTX 480 」，但最高 TDP 僅 219W ，媲美規格與時脈較低的「 GeForce GTX 470 」。

因此，「 GeForce GTX 570 」繪圖卡核心供電模組由六相供電減至四相，有效降低成本，同時「 GeForce GTX 570 」功耗較低，只需 2 組 6 Pin PCI-E 外接電源便可滿足需要，根據 NVIDIA 官方規格，「 GeForce GTX 570 」建議採用 550W 或以上的電源供應器。

( 左 )  供電模組由六相供電減至四相   ( 右 )  只需 2 組 6 Pin PCI-E 外接電源

加入 Power Monitoring 技術   Vapor Chamber Cooling 均熱板

與「 GeForce GTX 580 」相同，「 GeForce GTX 570 」同樣導入了 Power Monitoring 技術，以解決運作時可能出現過熱，引致硬體損壞的可能， PCB 上搭載了 3 顆 Power Monitoring 晶片，主要是監控兩組 6 Pin PCI-e 電源、以及 PCI-E 接口電流，如果核心溫度超出 97^oC ，將採用主動限制電流並減低時脈的方式，防止硬件因高溫而受損。

此外，「 GeForce GTX 570 」同樣採用 Vapor Chamber Cooling 均熱板設計，散熱器內建全銅均熱板，而且內部擁有散熱液體，能加速把熱傳導至散熱器鰭片上，比較採用四支導熱管散熱器更為有效，而且在使用均熱板設計在傳熱面積較高下，令風扇流動轉速減弱下仍可保持散熱效能，進而減低風扇運作聲噪。

採用 Vapor Chamber Cooling 均熱板散熱器