DRAM 顆粒價格已下跌多個月，據市場調查機構 DRAMeXchange 20 日發表的最新 DRAM 顆粒價格調查報告指出， 1 月上旬合約價已跌接低最低位，其中 DDR3 2GB 記憶體模組成交價一度低至 16 美元。不過，隨著新一代 Sandy Bridge 平台上場， DRAMeXchange 預期 DDR3 記憶體需要將會增加，有助帶動 DRAM 價格反彈回升。

自去年下半年， DRAM 價格一直保持頹勢，即使踏入 2011 年，其合約均價仍未見回升，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 調查指出， 1 月上旬合約價已跌接低最低位， DDR3 2GB 均價約 17 美元，最低更一度見 16 美元，尤幸跌幅開始收窄，較早前的 10% ，縮減至 5 ~ 6% 。

同時，據 DRAMeXchange 指出， 1 月下旬合約價方面廠商仍在洽談之中，但預期跌幅將會進一步收窄，甚至有機會出現持平，加上隨著 Intel 新平台 Sandy Bridg 剛於月頭發佈，加上 64Bit 作業系統日漸普查，令用家對高容量記憶體要求增加， DRAMeXchange 預期廠商將會在第一季末或第二季開始提高記憶體庫存準備，容量方面則預期 4GB 將會成為新主流規格，令記憶體價格可望回升 20 ~ 25% ，意味著目前記憶體價格已很大可能見底

現貨市場方面，據 DRAMeXchange 表示，自 2011 年開始， DDR2 與 DDR3 現頜價格均出現平穩走勢，其中 DDR3 1Gb 記憶體顆粒價格維持在 0.84 美元水平左右， DDR2 則在 1.35 美元水平附近。隨著農曆年將至，而早前廠商們因市場不景氣影響，在低庫存狀況下可望出現新一輪補貨潮，令現貨記憶體價格同樣止跌回升。

廠商表現方面，據 DRAMeXchange 早前調查所得，目前韓系 DRAM 廠已佔全球市佔率約 61.2% ，其中業界龍頭的 Samsung 更錄得超過 40% 市佔，大幅拋離其他廠商，而且其製程技術更領先對手。另一方面，受到韓系廠商的進一步壓力下，不少台系記憶體廠商亦加快製程轉換腳步，不少廠商已逐步全面進入 4X nm 製程，其中瑞晶更會於 2 月份開始進入 38nm 製程，其於年底開始試產 32nm 。

不過，據 DRAMeXchange 預估，由於早前記億體市場不景氣，令價格低迷，而且部份廠商又要面對增加資本支出、擴張產能、轉進新製程影響，使 DRAM 產業價格無法快速回穩，預期短期內規模較細的廠商將面臨失持續擴大困難，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速做出調整的腳步，因此預期今年將有 DRAM 廠商做出重大方向決策，甚至可能改變 DRAM 產業的生態發展。