卡長 28cm 長、最高 365W 功耗      NVIDIA GeForce GTX 590

Inno3D GeForce GTX 590 繪圖卡

受惠於 TSMC 40nm 制程漸趨成熟，加上 NVIDIA 針對晶片內部線路作出優化，「 GF110 」繪圖核心良率相較「 GF100 」大幅提升， 512 個 CUDA Cores ，並且相較上代「 GF100 」高效繪圖核心功耗大幅降低，成功解決熱力和功耗問題，最終實現「 Fermi 」高階雙晶片繪圖卡 — 「 GeForce GTX 590 」，建議售價為 USD$699 美元與對手 Radeon HD 6990 售價相約。

圖為 Inno3D 送測的「 GeForce GTX 590 」 繪圖卡，採用 NVIDIA 「 P1020 」公板設計，雖然採用了兩顆「 GF110 」繪圖核心，但產品卻沒有因此而變成龐然巨物，採用 Dual Slot 散熱設計，產品尺寸為 11.1cm (H) x 28cm (L) ，產品長度相較單晶片的「 GeForce GTX 580 」增加 1.3cm ，同時沒有超過 ATX 擴充卡規格長度最高上限 31cm 的要求。

雙 GPU 單一 PCB 設計， P1020 公板長度為 28cm 

功耗方面，「 GeForce GTX 590 繪圖卡」最高功耗為 365W ，需要外接兩組 8 Pin PCI-E 電源，以基於兩顆高階「 GF110 」繪圖核心，僅比單顆「 GF110 」的「 GeForce GTX 580 」功耗要求提升 49.6% ，表現令人喜出望外。 NVIDIA 建議最低電源供應器要求為最高輸出 700W 、 12V 總輸出不可小於 550W ，對於旗艦級繪圖卡來說要求並不嚴苛。

需要 2 組 8 Pins PCI-Express 外接電源

兩顆「 GF110-351-A1 」繪圖核心

「 GeForce GTX 590 」 PCB 線路設計，兩顆「 GF110 」繪圖核心分置於卡的左右兩則，晶片編號為「 GF110-351-A1 」，核心架構與「 GeForce GTX 580 」所採用的「 GF110-375-A1 」相同，擁有完整的 512 CUDA Core 、 16 組 Polymorph Engine 、 64 個 Texture Unit 及 48 個 ROP ，在雙晶片架構下達成了 1024 CUDA Core 、 32 組 Polymorph Engine 、  128 個 Texture Units 、  96 個 ROP Units 規格。

GF110-345-A1 繪圖核心

為了不超過 PCI-Express 2.0 繪圖卡的最高供電規格， NVIDIA 在良率、功耗、效能與性表現中計算如何達至最佳平衡，最終「 GeForce GTX 590 」繪圖核心時脈被設定為 607MHz 、 Shader 時脈為 1.215GHz 。為提升供電模組轉換效率，「 GeForce GTX 590 」採用 10 相 GPU + 2 相記憶體數位 PWM 供電模組，提供更優準轉換減少浪費，並且具備過流保護功能。

10 + 2 Digital PWM 供電模組，備有過流保護功能

24 顆 SAMSUNG GDDR5 記憶體顆粒

每顆「 GF110-351-A1 」擁有完整的 384Bit 記憶體控制介面，正背面 PCB 各自連接合共 12 顆 SAMSUNG K4G10325FE-HC04 GDDR5 記憶體，記憶體時脈為 3.4GHz GDDR ，合共 1.5GB GDDR5 記憶體容量。因此，整片「 GeForce GTX 590 」合共擁有 24 顆 SAMSUNG K4G10325FE-HC04 GDDR5 記憶體顆粒，板載共 3GB 記憶體容量。

雖然卡載記憶體容量為 3GB ，但當過行協同運算時，兩顆 GPU 會共同運算相同場景，因此兩顆 GPU 內的卡載記憶體需要完全同步，最高只能用上 1.5GB 記憶體容量。

SAMSUNG K4G10325FE-HC04 GDDR5 記憶體顆粒

兩顆「 GF110-351-A1 」均連接至 PCB 中央的「 NF200-P-SLI-A3 」接橋晶片，它是一顆 PCI-Express 接橋晶片，內建 48 組 PCI-Express Lane ，以連接兩顆繪圖核心與 PCI-Express x16 繪圖接口，擁有 Direct Channel 及 Broadcast Packet 功能，只需單一週期便可把資料同時轉播給 GPU 並同步記憶體內的資料，因此能減低 SLI 協同運算所需的 Latency ，令效能進一步提升。

NF200-P-SLI-A3 PCI-e 接橋晶片