據市調機構 DRAMeXchange 指出， 2008 年開春第一周， DDR2 512Mb eTT 現貨價維持在 0.84-0.85 美元狹幅整理格局，並於第二週開始反彈，從 1/7 的 0.84 美元上漲 9.5% 至 1/14 的 0.92 美元；同時 DDR2 1Gb eTT 漲幅也有 6.4% ，由 1.72 美元上漲至 1.83 美元。

就這波價格趨勢而言，品牌顆粒 DDR2 512Mb 均價由 2007 年 1/2 的 6.32 美元下跌 73% 至 5/22 的波段新低 1.70 美元，隨即在一個月內拉回 40% 至 6/22 的 2.40 美元；然後又下滑 62% 至 11/28 的 0.92 美元打出第一支腳，接著反彈 4.3% 至 12/5 的 0.96 美元，並於 12/11 破新低 0.91 美元打了第二支腳，形成了一個完整的 W 底，從去年年底開始在 0.92-0.95 美元築底。

值得注意的是，目前單顆 DDR2 1Gb 與兩顆 512Mb 的價差已經低於 1% 。根據集邦科技統計，在 2007 年 10 月兩者的價差還維持在 37% ，但是到了 12 月份就收斂到 5.1% ，顯示現貨市場 1Gb 的供應量大增。由於單顆 1Gb 的本至少可節省後段封測 0.3-0.5 美元，相較於兩顆 512Mb 成本，而對目前價格萎靡不振的 DDR2 而言，加速生產 1Gb 無疑是 DRAM 廠降低成本最迅速的方法。

除此之外，單顆 DDR2 1Gb 價始低於兩顆 512Mb ，也象徵市場主流已經轉向 1Gb ，因此後續必須觀察的是 1Gb 與 512Mb 的價差變化。

就市場面來分析，一月上旬 DRAM 合約價止跌回穩，接連帶動現貨市場中的 DDR2 顆粒的價格攀升，加上中國農曆年前市場需求會走強，假使這波買氣聚集， DDR2 512Mb 品牌顆粒有機會於 1 月底或農曆過年前率先回到 1 美元以上，否則將會在 0.8-0.95 美元盤整。而在一月下旬或二月初， DRAM 廠有歲修計劃進行，其中台系廠茂德將實施歲修長達兩周，降低 DRAM 三月總產出，加上 PC 銷售在三月預計會微幅向上。

DRAMeXchange 預測在三月 DDR2 有非常有機會上攻 1-1.2 美元。若在第二季前，有 DRAM 廠商正式宣告部份停產或降低資本支出，則 DDR2 1Gb 有機會突破 2.5 美元，約 35% 的漲幅，帶領 DRAM 廠告別虧損迎向獲利。