Intel 5 日宣佈在半導體技術上取得重大突破，將會於下代 22nm 制程中採用全新的 3D Tri-Gate 電晶體技術，是全球首次把這項技術應用於量產上，電晶體向 3D Tri-Gate 結構前進，將有助 Intel 處理器進一步提升性能表現，以及降低功耗提升電池續航力。根據 Intel 最新產品路線圖，將會於 2011 年第四季量產首款 22nm 制程的「 Ivy Bridge 」微架構處理器，緊接將會應用於手持式裝置 Atom 處理器與 Xeon 伺服器處理器之上。

3D Tri-Gate 電晶體技術是半導體技術上的重大突破，早於 2002 年 Intel 已向外披露公司正著手研發 3D 電晶體的可能性，因為傳統 2D 電晶體受到物理定律影響，成為制程進步的其中一大障礙，全新 3D Tri-Gate 電晶體技術能令晶片在更低的電壓下運作，並且減少漏電情況，令功耗進一步降低。

全新 22nm 3D Tri-Gate 在較低的電壓下，性能仍較上代 32nm 提升達 37% ，成為 Intel 進軍小型手持設備的最強武器，相較上代更少的電力即可完成電晶體開關操作，只需消耗不到一半的電量，就能達至上代 32nm 2D 電晶體相同的性能表現。

據 Intel 表示，在全新 22nm 3D Tri-Gate 電晶體的協助下， Intel 可以按需求靈活選用低能耗或高性能電晶體， 32nm 制程轉進 22nm 所帶的好處是無可否定的，但全新 3D Tri-Gate 電晶體技術所帶來的意義，相較單純跟上摩爾定律步伐更為深遠，低電壓和低電量的優勢遠較全新制程升級所得到的好處來得深遠，這一突破將擴大 Intel 在半導體行業的領先優勢。

Intel 展示下代「 Ivy Bridge 」微架構處理器

據了解， 3D Tri-Gate 其早於 2002 年由 Intel 所研發的結果，其命名是據柵極有三面而來，並且是一項異常複雜的技術，但在 Intel 內部各部份高度協同的研究、開發，並結合製造技術的集成作業經驗，令 3D Tri-Gate 最終成可量產的電晶體技術。

傳統 2D 平面柵極是超級纖薄的，但 3D Tri-Gate 技術從矽基體垂直豎起的 3D 矽鰭狀物所代替，電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實現的，在頂部多出一個柵極，令電阻值下降提升電晶體開啟狀態，讓更多電流通過達成高性能表現，而在關的狀態下盡能讓電流接近「 0 」的終極水平，提供優勢的節能表現。

此外， 3D Tri-Gate 電晶體結構提供了一種管理電晶體密度的方式，這些鰭狀物本身是垂直的，電晶體也能更緊密地封裝起來， Intel 在未來還可以不斷增加鰭狀物的高度，從而獲得更高的性能和能效。

Intel 展示了首款基於 22nm 3D Tri-Gate 晶片，研發代號為「 Ivy Bridge 」微架構處理器，將會於 2012 年應用於行動電腦、伺服器和桌面電腦平台上，首批 22nm 3D Tri-Gate 處理器預計在今年底前投產。

下代 22nm 制程中採用全新的 3D Tri-Gate 電晶體技術