目前 NAND FLASH 主要是日韓廠商以大量市場佔有率及較先進制程技術取得領導，但據市場調查機構 DRAMeXchange 指出，台系廠商力晶將於 2012 年起大幅增加 NAND FLASH 投片量，以及轉移到 NAND 2Xnm 減低成本，並保留 DRAM 技術以備未來需要。

據 DRAMeXchange 指出，力晶有意於明年大幅降低標準型 DRAM 投片量，僅以最低的產能維持 DRAM 的技術發展，預期標準型 DRAM 的投片僅佔總投片量的 20% ，並於明年起全數轉入 30nm 4Gb 生產，以空出的產能將會以 NAND FLASH 填補，並轉移到 NAND 2Xnm 的製程。

雖然力晶把產能轉移至 Flash 產品以及 LCD Driver 及非標準型 DRAM 產品，但力晶仍會保留 DRAM 技術，以備日後 3D-IC 以及 TSV 的技術成熟時，以憶體為中心做晶片組的整合，進而加強在大中華地區成為最完整技術領域的晶片廠。

此外，由於 DRAM 產業仍處於供過於求的狀況，加上國際大廠在第四季積極轉入 30nm 製程，預期明年上半年供過於求依然超過 15% ，在台灣 DRAM 廠商在今年至今虧損達台幣 586 億元的情況下，為免虧損加劇，部份台系廠商已準備轉型，其中據 DRAMeXchange 指出，南科將逐步轉入利基型與伺服器記憶體為主，華亞科則在 Micron 的伺服器記憶體的訂單支持下，有望將伺服器記憶體比重最高提升 50% ，華邦則轉型至專攻行動式記憶體與 NOR Flash 為主。

同時， DRAMeXchange 亦補充指出，如 DRAM 廠商要在嚴峻的市場中生存，明年將是重要的關鍵時刻，只要能降低標準型記憶體的生產量，減低供過於求的情況，則尚有一線生機。