據市調機構 DRAMeXchange 指出，由於中國農曆年前備貨需求暫告一段落，上週 (1/21-1/28) 現貨市場開始趨於平穩，以週均價來看， DDR2 512Mb eTT 與 DDR2 1Gb eTT 現貨價僅微跌 1% ，分別守在約 1.1 美元與 2.2 美元附近；而品牌顆粒與 eTT 顆粒間的價差也縮小，顯示市場激情雖歇，但對於未來價格趨勢仍表現出樂觀的態度，尤其 DRAM 廠普遍認為 DRAM 價格將於第一季落底，並有機會在季末三月反彈，也使得市場人士普遍樂觀以待。

根據統計，一月份現貨市場 DDR2 512Mb eTT 的最高價與最低價分別為 1.17 美元與 0.84 美元，而 DDR2 1Gb eTT 則是 2.33 美元與 1.72 美元，分別上漲了 39.3% 與 35.5% 。另一方面，一月份 DDR2 512Mb eTT 及 DDR2 1Gb eTT 的均價為 0.96 美元及 1.94 美元，與十二月的均價 0.83 美元及 1.75 美元相比，也有 15.7% 與 10.9% 的漲幅。除此之外，台系晶圓廠的歲修，加上 DRAM 價格落底訊號出現，皆為帶動現貨價格上漲的主因。

在合約市場方面，二月上旬的合約價仍在洽談中，由於目前現貨價格高出合約價格約 20% 以上，所以部份 DRAM 廠有計劃調高現貨市場出貨比例，一方面是因為在現貨市場獲利較高，另外一方面則可以降低合約市場供應，進一步拉抬合約價，而此舉對未來現貨、合約市場的影響仍有待觀察。