針對流動裝置市場， Samsung 17 日宣佈開始量產採用 20 nm 制程，容量達 4 Gigabit 的 LPDDR2 (Low power double-data-rate 2) 記憶體顆粒 ，令手機或平板電腦等手式行動裝置記憶體容量增加，並有助減低機身體積。

隨著大屏幕及四核心處理器廣泛應於手提電話及平板電腦上，用家對行動裝置要求不斷提升，更高省電效能和高容量記憶體的配備需求日益增加， Samsung 所生產的 30nm 制程 2 Gigabit 容量的 LPDDR2 RAM 已經應用於 LG Optimus LTE 2 及 Galaxy S3 之中。

同時， Samsung 亦已積極加強記憶體顆粒的生產制程，於上月已開始量產採用 20 nm 制程，容量達 4 Gigabit 的 LPDDR2 記憶體顆粒 ，其 4 Gigabit 的 LPDDR2 記憶體顆粒比上一代 30 nm 制程的記憶體顆粒更纖薄，只有 0.8mm 而最高傳輸率仍然維持在 1066Mbps 速度。

預期，隨著記憶體技術進步，記憶體顆粒容量再度提升而體積減少，有助為行動裝置提供更具彈性的機身大小空間，同時也讓行動裝置市場上 1GB RAM 的規格將不久被 2GB RAM 取代，成為主流規格。

 Samsung 已量產 4GB LPDDR2 RAM