Micron 12 日宣佈正式推出時脈達 1GHz 的 2Gb 、 4Gb DDR3 記憶體顆粒，採用 30nm 製程，主要針對高性能網絡和獨立繪圖卡市場，提供低功耗以及支援高達 2133 MT/s 的效能表現，據了解，此次推出的 DDR3 記憶體顆粒目前已在試產階段，並將於稍後時間正式量產。

為滿足高性能、低成本、高效的存儲解決方案，並為繪圖和高速網絡應用得到優化，新的 DDR3 記憶體顆粒提供可為最新的 SoC 處理器或 GPU 繪圖核心提供更充裕頻寬，因此據 Micron 表示，新的 DDR3 記憶體顆粒適合應用於低功耗高性能網路，另一方面亦可應用於獨立繪圖卡上使用。

該款新 DDR3 記憶體顆粒採用 30nm 製程，以 96-ball 或 78-ball FBGA 進行封裝，電壓僅為 1.5V ，並提供 128Mb×16 、 256Mb×8 、 256Mb×16 、 512Mb×8 等規格。其中針對網絡應用方面，目前已與 LSI 合作，並將使用於 2GB ECC UDIMM 記憶體模組上，而繪圖卡方面則與 AMD 合作，預期稍後將會應用於 AMD 繪圖卡之中。