繼 11 月下旬 DRAM 合約價格小跌後， DRAM 最新合約價受現貨價格影響，據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的 12 月上旬的 DRAM 合約價格走勢報告指出，近期 DRAM 模組價格呈現上揚勢態，其中 4GB 記憶體模組小幅上漲 1.64% ，而 2GB 模組亦回升 1.71% 。據了解，由於短期內現貨市場顆粒供貨吃緊， DRAM 模組價格可望持續攀升。

據 DRAMeXchange 最新發表報告顯示， 12 月上旬 DRAM 模組價格回升，其中 4GB 模組均價回到 $15.5 美元水平，升幅約 1.64% ，模組均價同樣回升至 8.9 水平，升幅約 1.71% 。 DRAMeXchange 指出，雖然回升幅度仍小，但在需求端持續低迷的情況下能夠停止跌勢，已可看到 DRAM 在庫存調節後出現健康勢態。

同時，在供給端方面，目前各家 DRAM 廠正在執行製程轉進， Samsung 和 SK Hynix 由原先供貨的 3X nm 製程正逐步轉至難度較高的 2X nm 製程，而 Micron 亦進一步提升 3X nm 的生產數量，由於現正處於新舊製程世代交替的銜接點，現貨市場顆粒供貨吃緊，因而帶動價格往上攀升。

早前，現貨市場 2Gb 顆粒單價普遍呈現跌勢，在 10 月下旬最低點來到 $0.817 美元，尤慶至 12 月開始回升，目前現貨價格仍是合約市場領先指標，再加上 9 月份各廠的減產效應陸續發酵，將生產的重心移向行動式記憶體下，據分析機構預期，在廠商們正減產下，供需產量將逐步趨近平衡，標準型記憶體持續了半年以上的跌勢可望暫時休止。