GALAX HOF DDR4-4000 16GB Kit

受惠於 Intel 新一代處理器 IMC 設計， DDR4 記憶體時脈得以進一步提升，因此 GALAX 特別針對超頻玩家市場，推出全新 HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit ，型號為「 HOF4CXLBS4000M19SF162C 」，採用最優質的 SAMSUNG 8Gb B-Die 記憶體顆粒，再經過人手每顆 IC 篩選流程，過往只能在 LN2 極限超頻才能達到的爆發極速，現在可以在風冷下輕鬆達成。

GALAX HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit 承襲了 HOF 名人當系列一貫的主題白色，鋁合金外殼並在中央位置設有 HOF 皇冠 Logo ，左右兩側加上「 Hall of Frame 」字句，雖然頂部設有白色的導光條，不過記憶體並沒有加上 LED 顆粒，因此在運作時不會發光，完全只為性能而生。

GALAX HOF DDR4-4000 C19 16GB Kit

( 左 ) DDR4-4000 CL19-25-25-45 2T ( 右 ) Hall Of Fame 標誌性皇冠 Logo

為確保記憶體模組的穩定性， GALAX HOF DDR4 記憶體特挑高體質 DRAM 顆粒，並且在出廠前進行 3 倍壓力測試，以確保系統的最佳效能表現，產品支援最新 Intel XMP 2.0 一鍵超頻功能，規格為 DDR4-4000 CL19-25-25-45 2T ，工作電壓為 1.4V ，由於記憶體運作於如此高時脈，對主機板質素要求非常高，建議用家在購買前先查詢主機板 QVL 列表，是否可支援 DDR4-4000 或以上速度。

採用 10 層 PCB Layers 設計，提供更佳線路屏蔽效果，拆下散熱器後可以看到記憶體 PCB 單面合共 8 顆 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」記憶體顆粒， SAMSUNG 記憶體顆粒的編號，開首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 產品， A 代表 DDR4-SDRAM 系統記憶體、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 顆粒 ，其 Refresh 時間為 64ms ，緊接編碼為 5 是 16 Banks 顆粒， W 代表工作電壓採用 SSTL_12 介面， vDD 、 vDDQ 工作電壓均為 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。

後面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒，採用 Halogen & Lead Free 環保制程 Flip Chip 封裝， C 代表為正常商用顆粒之工作溫度範圍為 0ºC ~ 85ºC ， PB 代表其速度為 0.938ns 即 DDR4-2133 ，規格為 CL15-15-15 ， GALAX 透過嚴謹篩選程序，打造成 XMP 規格下 1.4V 工作電壓可運作 DDR4-4000 C19 的記憶體模組産品。

效能測試︰

測試平台為 ASROCK Z170 OC Formula 主機板配搭 Intel Core i7-6700K 處理器及 GALAXY GeForce GT630 繪圖卡 ，作業系統則採用 Microsoft Windows 10 ，每一組記憶體設定必要經過 AMT64 測試檢定才能當測試成功。

AMT64 (Advanced Module Test 64Bit) 測試是現時各大記憶體模組廠商採用的測試標準，用作檢出模組顆粒品質及相容性的硬體測試卡，透過 12 個不同的資料讀寫 Loop Pattern 測試，可以分辨出模組無法通過測試的顆粒，是工廠級的記憶體測試。

GALAX 「  HOF4CXLBS4000M19SF162C 」屬於「 HOF 」 DDR4 系列的終極規格，在預設工作電壓下，能穩超上 DDR4-4133 CL17-21-21 2T 並通過 1 小時的 AMT64 測試。由於 DDR4-4133 已是記憶體的最高倍頻，如果要突破 DDR4-4133 或以上，需要提升 bclk 才能達成，而且受限於 CPU 的 I/O 及 IMC 體質，因此測試主要以記憶體時序入手。

在不加電壓下可以穩上 DDR4-4133 CL17-21-21 2T ，由於 SAMSUNG 顆粒非常吃壓，就算 1.5V 作 24 X 7 長跑均沒有問題，如果能額外安裝記憶體模組散熱風扇，效果會更佳，測試能穩上 DDR4-4133 CL15 並且有明顯的性能增長，要達成 CL14 則需要 1.55V 。

售價︰ HK$ 未定、可訂購 (DDR4-4000 CL19 16GB Kit)

查詢︰ Felton (2273-8393)