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starforce

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發表於 2008-10-28 21:02 | 只看該作者

[FW] 聯電28nm製程SRAM試製成功

聯電28nm製程SRAM試製成功
驅動之家[原創] 作者：Skyangeles 編輯：Skyangeles　2008-10-28 15:39:01  

聯電公司昨天宣佈，已經成功產出業界首顆全功能28nm製程SRAM芯片。在半導體業界，SRAM往往是試驗新製程工藝的首款產品。而28nm SRAM的試製成功也代表聯電基本擁有了28nm工藝的製造能力。

聯電的28nm SRAM基於該公司自行研發的LL低漏電製程工藝，採用雙重圖形曝光（double patterning）浸潤式微影和應變硅技術來製造。包含6個晶體管的SRAM尺寸為0.122平方微米。

聯電在應用28nm製程工藝時，會針對不同市場需求使用兩種不同的柵極技術。當製造諸如手機芯片等移動設備產品時，他們將採用自家低漏電製程，搭載傳統的硅柵極、氮氧化硅柵極氧化層技術，而當代工注重速度的產品注入GPU、應用處理器時，則會採用High-K金屬柵極技術。

聯電表示，使用公司現有的300mm晶圓工廠，28nm製程可帶來比40nm高近一倍的密度。同時他們還將在28nm平台上為客戶提供定制32nm工藝服務。

http://news.mydrivers.com/1/119/119833.htm
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starforce

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發表於 2008-10-28 21:04 | 只看該作者
ATI的display card繼40nm後, 有機會是用28nm?

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qcmadness

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發表於 2008-10-28 21:28 | 只看該作者
32nm...

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dellasus

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發表於 2008-10-28 22:22 | 只看該作者
原帖由 starforce 於 2008-10-28 21:02 發表
聯電28nm製程SRAM試製成功
驅動之家[原創] 作者：Skyangeles 編輯：Skyangeles　2008-10-28 15:39:01  

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