作者: inone2 時間: 2017-2-11 21:43 標題: 中芯國際投產40nm ReRAM：比RAM記憶體快千倍！
http://news.mydrivers.com/1/519/519209.htm
Intel Optane(閃騰)存儲產品終於開始出貨了，而中芯國際與Crossbar合作研發的ReRAM(非易失性阻變式記憶體)也傳來好消息，已經在中芯國際正式投入生產！
Crossbar公司成立於2010年，拿到了包括中國北極光創投在內提供的8000萬美元風投，2016年3月宣佈與中芯國際達成合作，發力中國市場，中芯國際將採用自家的40nm CMOS工藝試產ReRAM晶片。
ReRAM代表電阻式RAM，是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集於一身的新一代存儲技術，關閉電源後仍能保存資料。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的電腦將幾乎不再需要載入時間。
ReRAM的名字中雖然帶有RAM，但機制和用途其實更像NAND快閃記憶體，主要用作資料存儲。
ReRAM的性能十分彪悍，號稱存儲密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，200平方毫米左右的單晶片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易於製造等優點。
與傳統的NAND快閃記憶體相比，ReRAM速度快的多，位元元可修改，並且所需電壓更低，這都使得它可以被應用於嵌入式和SSD設備之中。
而且不同于NAND快閃記憶體對於更新工藝的不適應，ReRAM的擴展性更好，遠景可以做到5nm。
另外，更先進的28nm ReRAM晶片也將在2017年上半年問世。
Crossbar ReRAM I/V曲線(1T1R和1TnR)
ReRAM應用前景
作者: P14 時間: 2017-2-13 18:45
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作者: masseffect 時間: 2017-2-13 20:10
好有可疑，咁橋 intel Optane 廠係大陸
P14 發表於 2017-2-13 18:45
兩樣完全唔同嘅技術嚟喎
作者: lays 時間: 2017-2-13 20:27
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作者: 健昇 時間: 2017-2-13 20:52
...號稱存儲密度比DRAM記憶體高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍...
inone2 發表於 2017-2-11 21:43
耐久度？
RAM的耐久度係乜？
作者: t1066 時間: 2017-2-13 22:37
係crossbar嘅網頁
http://www.crossbar-inc.com/
比NAND快100倍讀取速度，比NAND快20倍寫入速度，比NAND慳電20倍......
作者: inone2 時間: 2017-2-14 09:14
回覆 5# 健昇
耐久度應該係指壽命/用到幾耐!!!
作者: 健昇 時間: 2017-2-14 21:36
回覆 健昇
耐久度應該係指壽命/用到幾耐!!!
inone2 發表於 2017-2-14 09:14
DRAM 無 write endurance 限制
如果計時間，DRAM 閒閒地可以用數以十年計
佢話比 DRAM 耐久度高1000倍，咁即係數以萬年計？
作者: cwp 時間: 2017-2-15 12:18
會唔會又係一個ppt之王
作者: 良優 時間: 2017-2-15 16:23
回覆 9# cwp
美國吹下水可能只係業績下降..股價下降..
國內就可能要槍B
作者: Once 時間: 2017-2-15 18:07
冇板用到？
咁邊個買
作者: inone2 時間: 2017-2-16 06:28
回覆 8# 健昇
佢應該係指比NAND掛!!!!