作者: inone2 時間: 2019-2-21 14:57 標題: 轉貼：英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝
https://news.mydrivers.com/1/616/616640.htm
不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發佈了2019年Q1季度DRAM記憶體價格趨勢報告。
根據他們的報告Q1季度記憶體市場均價跌幅將達20%，Q2季度會再跌15%。而NAND快閃記憶體方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達50%，並且DRAMeXchange認為若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND快閃記憶體仍可能再跌50%。對於消費者來說，好消息還不止這些。
根據techpowerup的報導，EETimes上不久前發佈了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取記憶體）已經準備好大批量生產。
MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進位的0和1，從而實現資料的存儲，是一種非易失性存儲技術，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住資訊，同時它還有不輸於DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低於DRAM。
由於不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體，制程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來制程微縮仍有許多發展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM記憶體和NAND快閃記憶體。
英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝
週二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期，並可在超過100萬個開關週期內實現持久性。MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用於移動設備上。
並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。
英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝
作者: inone2 時間: 2019-2-21 19:32
淘汰記憶體+快閃記憶體！Intel MRAM已可量產：200℃高溫能用10年
https://news.mydrivers.com/1/616/616656.htm
多年來，半導體行業的標準存儲格局一直是DRAM記憶體＋HDD機械硬碟/SSD固態硬碟，不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案，比如Intel的傲騰，就致力於消弭記憶體與硬碟之間的鴻溝。
還有一種方案就是MRAM(磁阻式隨機訪問記憶體)，Intel、IBM、三星、海力士、東芝、TDK等大廠和一些創業企業都研究了好多年。現在，Intel宣佈他們的MRAM已經準備好大規模量產了！
MRAM存儲技術和NAND快閃記憶體類似是非易失性的，也就是斷電後不會丟失資料，而寫入速度可以達到NAND快閃記憶體的數千倍，建立時間(settling time)可以達到1納秒，比目前DRAM記憶體的理論限制還要好，等於綜合了RAM記憶體、NAND快閃記憶體的優點，可以兼做記憶體和硬碟。
同時很關鍵的是，它對製造工藝要求低，而且在傳統DRAM工藝升級越來越難的情況下，MRAM卻可以更輕鬆地更新，良品率也高得多，意味著成本可以得到更有效地控制。
淘汰記憶體+快閃記憶體！Intel MRAM已可量產：200℃高溫能用10年
Intel即將量產的MRAM就採用了很成熟的22nm FFL FinFET製造工藝，良品率居然超過了99.998％！對於一種很全新存儲技術來說相當不可思議。
至於為何不用更新的14nm，可能是MRAM目前對新工藝不敏感，也可能是Intel 14nm工藝現在產能太緊張了，騰不出手來。
淘汰記憶體+快閃記憶體！Intel MRAM已可量產：200℃高溫能用10年
按照Intel給出的技術規格，這種MRAM的每個存儲單元的面積為0.0486平方微米、容量7Mb，讀取時間0.9V電壓下4納秒、0.8V電壓下8納秒，寫入時間-40℃下也有10微秒，寫入壽命不低於一百萬。
壽命那是相當的長，標準耐受溫度範圍-40℃到125℃，而Intel工程師強調，即便放置在200℃高溫下資料完整性也能保持10年之久。
不過，MRAM具體什麼時間投入規模量產，用於何種產品之上，Intel尚未給出更詳細的說明。
淘汰記憶體+快閃記憶體！Intel MRAM已可量產：200℃高溫能用10年
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作者: ricky1992 時間: 2019-2-25 00:44
已可量產
作者: doggiestyle 時間: 2019-2-25 04:29
通常研發完再商用要十年
作者: yjfoeg 時間: 2019-2-25 08:02
講記憶體, 但係篇文完全冇提過速度
作者: 燕飛 時間: 2019-2-25 11:11
講記憶體, 但係篇文完全冇提過速度
yjfoeg 發表於 2019-2-25 08:02
0.9V 4ns 咪Single Cell速度
via HKEPC Reader for Android
作者: skywalker167 時間: 2019-2-25 13:25
本帖最後由 skywalker167 於 2019-2-25 13:32 編輯
好似聽講TSMC, Samsung 之前的路線圖都有大約2018/2019年量產eMRAM
Toshiba, SK Hynix都已經研究MRAM好耐
想問其實eMRAM前面的e字代表embedded有甚麼意思，有無可能系短期內做SSD，系用系D controller上面?
如果話可以做到DRAM的密度同成本，即系用而家DRAM成本應該8GB二百幾，八九百應該買到32GB的MRAM，過多一兩年可以一千內買到64GB的MRAM (而家DDR5系16Gbit起跳)
其實就好似十年前的SSD的價錢，一開始主流60GB
其實如果只裝windows+其他軟件，60GB都夠
剩下其他用返HDD
會不會到時NAND死但HDD吾死得
因為反正archiving 都不會用SSD，始終NAND SSD可能系長時間儲存無保障 同archiving不追求速度
其實我又想拉到長江存儲，就算美國不出手制裁，長江存儲系最理想情況下都要到2020/2021年左右先投產128層3DNAND追近對手，但到時已經無人買NAND，而系用MRAM...
EDIT: 不過如果用返subarray density 10Mbit/mm2去計 8Gbit需要差不多800mm2
好似22nm暫時容量密度同DRAM還差得遠
我上面的估計暫不成立
作者: YES_MAN 時間: 2019-2-25 14:19
估又係xpoint咁雷聲大...
作者: Ksec 時間: 2019-2-25 15:56
好似聽講TSMC, Samsung 之前的路線圖都有大約2018/2019年量產eMRAM
Toshiba, SK Hynix都已經研究MRAM好耐
...
skywalker167 發表於 2019-2-25 13:25
你當佢係 L4 Cache Replacement 就差唔多. 主要係慳電.
作者: fvson 時間: 2019-2-25 16:34
算唔算到最後殊途同歸
作者: inone2 時間: 2019-2-25 16:46
回覆 8# YES_MAN
196幾年，電梯一詞就出現係科幻小說啦!!! 當時連影都未見，結果80年代中，就變成大部份香港人常用的工具，所有偉大的發明都源自發夢及嘗試，沒有IPHONE 1代就唔會有IPHONE 2和 2S!!! 當時都無咩人估到IPHONE會大成功，仲將電話變成比電腦更重要的工具添!!!!
作者: killer699 時間: 2019-2-25 17:01
回覆 YES_MAN
196幾年，電梯一詞就出現係科幻小說啦!!! 當時連影都未見，結果80年代中，就變成大部 ...
inone2 發表於 2019-2-25 16:46
"當時都無咩人估到IPHONE會大成功" <- 有冇SOURCE
作者: Ksec 時間: 2019-2-26 01:35
"當時都無咩人估到IPHONE會大成功"
killer699 發表於 2019-2-25 17:01
"無咩人" 可能係誇大左, 不過個意思係 有唔少人睇死佢. 當中包括當時 M$ CEO Steve Ballmer 同埋 Nokia, Motorola, Palm, Blackberry CEO......
作者: usei 時間: 2019-2-26 11:41
好似聽講TSMC, Samsung 之前的路線圖都有大約2018/2019年量產eMRAM
Toshiba, SK Hynix都已經研究MRAM好耐
...
skywalker167 發表於 2019-2-25 13:25
MRAM 單位成本同 DRAM 不會差太遠
nand 比 DRAM 平好多 , MRAM 取代 nand 不容易
作者: inone2 時間: 2019-3-1 18:14
http://www.infoobs.com/uploads/20190225/1551062329.jpeg
https://www.youtube.com/watch?v=DlKRpXRudL8
[youtube]DlKRpXRudL8[/youtube]
作者: YES_MAN 時間: 2019-3-2 09:02
現在cell size要直徑近6um,
6mmx6mm的芯片頂籠放到1M cell,
cell size縮唔到2個order都幾難同 Flash爭.
作者: akiro 時間: 2019-3-2 09:54
MRAM 同 3D Xpoint 既分別係邊度....
點解聽落好似咁似既...?
作者: Ksec 時間: 2019-3-2 13:39
MRAM 同 3D Xpoint 既分別係邊度....
點解聽落好似咁似既...?
akiro 發表於 2019-3-2 09:54
Density, Speed , Cost 都相差好遠.
你可以咁樣諗 SRAM > eMRAM > DRAM > Optane > NAND
速度越快容量越細. 跟住就係要睇下你嘅 Usage... 去決定究竟點樣用. 我暫時淨係諗到比起 eDRAM 有啲乜嘢好處除咗慳電啲之外, ( 我 expect eMRAM Data 經常都需要更新 ).... 有時間都上網研究一下.
作者: ~Mars~ 時間: 2019-3-2 17:39
回覆 YES_MAN
196幾年，電梯一詞就出現係科幻小說啦!!! 當時連影都未見，結果80年代中，就變成大部 ...
inone2 發表於 2019-2-25 16:46
獻醜不如藏拙
二十世紀初就已經有電梯啦，仲要等到1960's?
反而20世紀初FF嗰啲咩嘢飛船就從來都無出現過
無人話eMRAM 一定唔得
不過Intel 近年嘅往績
根本說服唔到人信佢
作者: 高登阿伯 時間: 2019-3-5 23:55
回覆 YES_MAN
196幾年，電梯一詞就出現係科幻小說啦!!! 當時連影都未見，結果80年代中，就變成大部 ...
inone2 發表於 2019-2-25 16:46
186X年電梯巳經有專利登記，點會係科幻小說呀？
不過當時唔係電動就真。
作者: inone2 時間: 2019-3-6 10:23
回覆 20# 高登阿伯
我係講緊香港，1960年香港有大量使用電梯嗎?? 不過我認我講得唔清楚，我係指扶手電梯，唔係LIFT!!!!
作者: inone2 時間: 2019-3-6 10:24
回覆 19# ~Mars~
我認我講得唔清楚，我係指扶手電梯，唔係LIFT!!!
作者: inone2 時間: 2019-3-7 06:01
本帖最後由 inone2 於 2019-3-7 06:02 編輯
千倍於快閃記憶體！三星量產eMRAM嵌入式磁阻記憶體：28nm工藝
https://news.mydrivers.com/1/618/618164.htm
就在不久前，Intel宣佈已經準備好大規模量產MRAM(磁阻式隨機訪問記憶體)，這種綜合了RAM記憶體、NAND快閃記憶體的新型非易失性存儲介質斷電後不會丟失資料，寫入速度則數千倍於快閃記憶體，可以兼做記憶體和硬碟，甚至統一兩者。
同時很關鍵的是，它對製造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。
現在，三星電子又宣佈，已經全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻記憶體)，而且用的是看上去有點“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上矽)成熟工藝，可廣泛應用於MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智慧領域。
三星指出，基於放電存儲操作的eFlash(嵌入式快閃記憶體)已經越來越難以進步，SLC、MLC、TLC、QLC、OLC一路走下來，密度越來越高，但是壽命越來越短，主控和演算法不得不進行越來越複雜的補償。
eMRAM則是極佳的替代者，因為它是基於磁阻的存儲，擴展性非常好，在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統RAM。
使用28nm工藝量產成功，則進一步證明三星已經克服了eMRAM量產的技術難題，工藝上更不是問題。
三星表示，28nm FD-SOI工藝的eMRAM可以帶來前所未有的能耗、速度優勢。由於不需要在寫入資料前進行擦除迴圈，eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍，而且電壓、功耗低得多，待機狀態下完全不會耗電，因此能效極高。
另外，eMRAM可以輕易嵌入工藝後端，只需增加少數幾個層即可，因此對於前端工藝要求非常低，可以輕易地使用現有工藝生產線進行製造，包括Bulk、Fin、FD-SOI電晶體。
三星還計畫今年內流片1Gb(128MB)容量的eMRAM晶片。
作者: YES_MAN 時間: 2019-3-7 14:32
咪興奮住.
subarray density = 10.6Mbits/mm2
1Gb = 1024Mbits
die size = 1024/10.6 ~ 100mm2
同粒1151 chipset H370差不多大小,
8粒1GB就一條DIMM鋪滿
作者: inone2 時間: 2019-3-8 00:51
回覆 24# YES_MAN
未用3D XPOINT技術就係咁咋吓!???? 一轉96層的話你都唔好睇少佢!!!
1層 1Gb，96層= 96 * 1Gb =12 * 1GB =12 GB
作者: inone2 時間: 2019-3-8 16:18
又出新圖啦!!!
圖片附件: EE.jpg (2019-3-8 16:18, 17.57 KB) / 下載次數 62https://www.hkepc.com/forum/attachment.php?aid=2113757&k=098aa3d247b6010599899419e434100f&t=1780523689&sid=1t3xqeJpYW
圖片附件: EE2.jpg (2019-3-8 16:18, 16.18 KB) / 下載次數 63https://www.hkepc.com/forum/attachment.php?aid=2113758&k=8c9b884e656ff769d346b63f44e5b445&t=1780523689&sid=1t3xqeJpYW
作者: 燕飛 時間: 2019-3-8 16:35
本帖最後由 燕飛 於 2019-3-8 16:36 編輯
咪興奮住.
subarray density = 10.6Mbits/mm2
1Gb = 1024Mbits
die size = 1024/10.6 ~ 100mm2
同粒1151 ch ...
YES_MAN 發表於 2019-3-7 14:32
而家d ram係 stack chip 的
一個package可以有幾層ram
via HKEPC Reader for Android
作者: skywalker167 時間: 2019-3-9 10:55
本帖最後由 skywalker167 於 2019-3-9 11:00 編輯
而家d ram係 stack chip 的
一個package可以有幾層ram
via HKEPC Reader for Android
燕飛 發表於 2019-3-8 16:35
即系而家都做到接近DRAM的密度同成本??
而且比DRAM更容易shrink個fab node...
因為其實DDR5單條16GByte會系一開始就系主流，你當一條RAM成本大約2-3百，1000HKD成本應該有64GB DRAM，如果MRAM有差不多成本，其實64都夠，可以裝windows+常用軟件+一隻中等大小的game都夠裝，已經可以部分代替NAND，而且耐久度好過NAND好多你NAND大容量都無用.....
第時5/7nm MRAM分分鐘1000HKD成本可以有256-512GB MRAM，就算你話類似價錢買到2,3TB NAND又點，做backup HDD最穩陣
不過我覺得最後MRAM不能替代DRAM，可能有D野你想好容易就消失，例如reboot，斷電
作者: inone2 時間: 2019-3-17 07:34
Samsung is rolling out eMRAM for the IoT
Subject: General Tech | March 11, 2019 - 01:16 PM | Jeremy Hellstrom
Tagged: everspin, eMRAM, Samsung, iot, Optane
Embedded magnetic RAM has been around for a bit, usually thanks to the work of Everspin whom have licensed their technology to GLOBALFOUNDRIES, though today Samsung has announced they are developing their own. It is less expensive to produce than STT-RAM, PC-RAM or memristors yet offers many of the same advantages over flash memory, namely much higher performance and lower electrical requirements.
Samsung is a ways from production, according to The Register Samsung doesn't expect to tape out a 1Gb eMRAM test chip until later this year. This would be a big leap forward for the performance of embedded systems, as ARM is working with Samsung to ensure compatibility and we may even see eMRAM onboard ARM chips once Samsung's production lines ramp up. It will be interesting to see what effect this will have on the market once it arrives; hopefully a larger splash than a certain other type of non-volitile memory!
https://www.pcper.com/news/Gener ... lling-out-eMRAM-IoT
圖片附件: XXX.jpg (2019-3-17 07:34, 96.85 KB) / 下載次數 43https://www.hkepc.com/forum/attachment.php?aid=2115323&k=3ee4f872461617704c54da5571a27456&t=1780523689&sid=1t3xqeJpYW
