作者: usei 時間: 2021-10-26 11:50 標題: 不用 EUV 上 5 nm
https://technews.tw/2021/10/22/c ... to-5nm-without-euv/
NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構，更適應 NIL 技術製程。
NAND 不是不用細製程嗎 ? 細製程寫入次數太少 , 還是想利用細製程整番 SLC ?
細製程如果能提高 8 倍以上密度 , 會比大製程 TLC 好
作者: 高登阿伯 時間: 2021-10-26 23:30
NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構，更適應 NIL 技術製程。
NAND 不是不用細製程嗎 ? 細製程寫入次數 ...
usei 發表於 2021-10-26 11:50
目前正在進行 15 奈米以下研發，預計 2025 年達成。
即係有排未成事，遠水不能救近火，大家可以繼續捱炒價。
作者: rabbit82047 時間: 2021-10-27 10:26
NAND 係向高容量發展, 一定唔會行返去 TLC/MLC, 最多 TLC/QLC 行 TLC 模式
作者: usei 時間: 2021-10-27 11:48
回覆 3# rabbit82047
細製程 TLC 因為寫入次數太少 , 才轉大製程 3D
細製程 nand 用 SLC / MLC 才合理
作者: skywalker167 時間: 2021-10-31 10:11
本帖最後由 skywalker167 於 2024-2-1 08:15 編輯
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