IBM與法國CEA/Leti聯手研發22/16nm工藝

IBM與法國原子能委員旗下的電子信息技術研究所(CEA/Leti)宣佈,雙方已經簽署了為期五年的合作協議,將共同致力於新型半導體和納米電子技術的研發。
隨著45nm的普及、32nm的臨近,IBM與CEA/Leti將合作面向22nm乃至更先進工藝(16nm),開發CMOS製造技術所需的高級材料、設備和製程。
雙方的聯合研發工作將在CEA/Leti位於法國格勒諾布爾市的300毫米晶圓廠、IBM位於紐約州東費西基爾的300毫米晶圓廠、紐約州奧爾巴尼大學的納米科學與工程學院、意法半導體工廠等地展開,主要包括以下三個關鍵方面:
1、22nm工藝快速成型高級光刻技術
2、22nm工藝CMOS技術和低功耗設備
3、用於研究和製造協議控制的創新納米級表徵技術
達成此番合作後,CEA/Leti將成為IBM的研發合作夥伴,以及IBM聯合開發聯盟的一員。CEA/Leti將為聯盟提供自己在低功耗CMOS(如SOI)、電子束、納米級表徵和成型等方面的獨家技術經驗。意法半導體也已在2007年加入此聯盟。
CEA主要致力於能源、信息與醫療技術、防衛與安全三個方向的研究,旗下Leti與無線、生物、醫療、光學等業界公司合作,通過技術創新與增強他們的競爭力,其中微米與納米技術和應用是主要關注點,擁有1200名員工(150多名博士)、多座200/300毫米晶圓廠、8000平方米無塵室、1400多項技術專利。