轉貼:英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝

https://news.mydrivers.com/1/616/616640.htm

不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體,最近都在跌價,今年初,集邦科技旗下的DRAMeXchange發佈了2019年Q1季度DRAM記憶體價格趨勢報告。

根據他們的報告Q1季度記憶體市場均價跌幅將達20%,Q2季度會再跌15%。而NAND快閃記憶體方面大家的感受更明顯,2018年市場均價跌幅已達50%,並且DRAMeXchange認為若仍無足夠需求動能支撐,2019年NAND快閃記憶體仍可能再跌50%。對於消費者來說,好消息還不止這些。

根據techpowerup的報導,EETimes上不久前發佈了一份報告,該報告顯示英特爾自己的商用MRAM(磁阻隨機存取記憶體)已經準備好大批量生產。

MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進位的0和1,從而實現資料的存儲,是一種非易失性存儲技術,這意味著即使斷電情況下,它仍然會保留住資訊,同時它還有不輸於DRAM的容量密度及使用壽命,平均能耗也遠低於DRAM。

由於不管是DRAM記憶體還是NAND快閃記憶體,制程微縮已遭遇瓶頸,相對地,MRAM未來制程微縮仍有許多發展空間,MRAM因此備受期待,認為可以取代DRAM記憶體和NAND快閃記憶體。

英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝

週二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說,英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期,並可在超過100萬個開關週期內實現持久性。MRAM省電的特性,意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用於移動設備上。

並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用,也趕搭上 5G 世代的列車。

英特爾eMRAM已準備好大批量生產 基於FinFET工藝

淘汰記憶體+快閃記憶體!Intel MRAM已可量產:200℃高溫能用10年

https://news.mydrivers.com/1/616/616656.htm

多年來,半導體行業的標準存儲格局一直是DRAM記憶體+HDD機械硬碟/SSD固態硬碟,不過各家巨頭也一直在探尋新的、更好的方案,比如Intel的傲騰,就致力於消弭記憶體與硬碟之間的鴻溝。

還有一種方案就是MRAM(磁阻式隨機訪問記憶體),Intel、IBM、三星、海力士、東芝、TDK等大廠和一些創業企業都研究了好多年。現在,Intel宣佈他們的MRAM已經準備好大規模量產了!

MRAM存儲技術和NAND快閃記憶體類似是非易失性的,也就是斷電後不會丟失資料,而寫入速度可以達到NAND快閃記憶體的數千倍,建立時間(settling time)可以達到1納秒,比目前DRAM記憶體的理論限制還要好,等於綜合了RAM記憶體、NAND快閃記憶體的優點,可以兼做記憶體和硬碟。

同時很關鍵的是,它對製造工藝要求低,而且在傳統DRAM工藝升級越來越難的情況下,MRAM卻可以更輕鬆地更新,良品率也高得多,意味著成本可以得到更有效地控制。
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2019-2-21 19:31

淘汰記憶體+快閃記憶體!Intel MRAM已可量產:200℃高溫能用10年

Intel即將量產的MRAM就採用了很成熟的22nm FFL FinFET製造工藝,良品率居然超過了99.998%!對於一種很全新存儲技術來說相當不可思議。

至於為何不用更新的14nm,可能是MRAM目前對新工藝不敏感,也可能是Intel 14nm工藝現在產能太緊張了,騰不出手來。
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2019-2-21 19:31

淘汰記憶體+快閃記憶體!Intel MRAM已可量產:200℃高溫能用10年

按照Intel給出的技術規格,這種MRAM的每個存儲單元的面積為0.0486平方微米、容量7Mb,讀取時間0.9V電壓下4納秒、0.8V電壓下8納秒,寫入時間-40℃下也有10微秒,寫入壽命不低於一百萬。
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2019-2-21 19:31

壽命那是相當的長,標準耐受溫度範圍-40℃到125℃,而Intel工程師強調,即便放置在200℃高溫下資料完整性也能保持10年之久。

不過,MRAM具體什麼時間投入規模量產,用於何種產品之上,Intel尚未給出更詳細的說明。

淘汰記憶體+快閃記憶體!Intel MRAM已可量產:200℃高溫能用10年

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量產

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通常研發完再商用要十年

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講記憶體, 但係篇文完全冇提過速度

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講記憶體, 但係篇文完全冇提過速度
yjfoeg 發表於 2019-2-25 08:02

0.9V 4ns 咪Single Cell速度


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本帖最後由 skywalker167 於 2019-2-25 13:32 編輯

好似聽講TSMC, Samsung 之前的路線圖都有大約2018/2019年量產eMRAM
Toshiba, SK Hynix都已經研究MRAM好耐

想問其實eMRAM前面的e字代表embedded有甚麼意思,有無可能系短期內做SSD,系用系D controller上面?
如果話可以做到DRAM的密度同成本,即系用而家DRAM成本應該8GB二百幾,八九百應該買到32GB的MRAM,過多一兩年可以一千內買到64GB的MRAM (而家DDR5系16Gbit起跳)
其實就好似十年前的SSD的價錢,一開始主流60GB
其實如果只裝windows+其他軟件,60GB都夠
剩下其他用返HDD
會不會到時NAND死但HDD吾死得
因為反正archiving 都不會用SSD,始終NAND SSD可能系長時間儲存無保障 同archiving不追求速度

其實我又想拉到長江存儲,就算美國不出手制裁,長江存儲系最理想情況下都要到2020/2021年左右先投產128層3DNAND追近對手,但到時已經無人買NAND,而系用MRAM...

EDIT: 不過如果用返subarray density 10Mbit/mm2去計 8Gbit需要差不多800mm2
好似22nm暫時容量密度同DRAM還差得遠
我上面的估計暫不成立

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估又係xpoint咁雷聲大...

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好似聽講TSMC, Samsung 之前的路線圖都有大約2018/2019年量產eMRAM
Toshiba, SK Hynix都已經研究MRAM好耐

...
skywalker167 發表於 2019-2-25 13:25


你當佢係 L4 Cache Replacement 就差唔多. 主要係慳電.

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算唔算到最後殊途同歸

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