不用 EUV 上 5 nm

https://technews.tw/2021/10/22/c ... to-5nm-without-euv/

NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構,更適應 NIL 技術製程。


NAND 不是不用細製程嗎 ?  細製程寫入次數太少 , 還是想利用細製程整番 SLC ?
細製程如果能提高 8 倍以上密度 , 會比大製程 TLC 好

NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構,更適應 NIL 技術製程。


NAND 不是不用細製程嗎 ?  細製程寫入次數 ...
usei 發表於 2021-10-26 11:50


目前正在進行 15 奈米以下研發,預計 2025 年達成。

即係有排未成事,遠水不能救近火,大家可以繼續捱炒價。

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NAND 係向高容量發展, 一定唔會行返去 TLC/MLC, 最多 TLC/QLC 行 TLC 模式

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回覆 3# rabbit82047

細製程 TLC 因為寫入次數太少 , 才轉大製程 3D

細製程 nand 用 SLC / MLC 才合理

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本帖最後由 skywalker167 於 2021-10-31 02:16 編輯

即系十幾年前講的奈米壓印而家成事了??
本身奈米壓印已經可以大幅減低生產成本,相比起光刻
縮小線寬可以增加密度,提升層數都可以增加密度
如果兩者一起進行更加好
不過縮小線寬會令壽命減少,以前planar的時候好似NAND去到15nm已經最盡
但除了NAND仲有控制NAND的邏輯電路,中國長江存儲而加是用另外一塊晶圓
邏輯晶圓用先進製程,而NAND用較大製程(可能大約30nm左右) 話因為先進製程 同 NAND製程 的加工過程的條件不相容
呢度講的5nm會不會是邏輯電路先用?
如果奈米壓印就可以在同一塊晶圓上邏輯電路使用先進製程達到非常高的性能 不需要使用2塊晶圓
Kyoxia老闆應該是美韓合資,好似SK Hynix, WD-Sandisk 同不記得Micron, Samsung有無份
錦即系可以玩技術共享 同現時5間主要的NAND生產商合作玩技術封鎖
因為呢個技術是革命性的
即系基本上 5間公司 韓國Samsung, SK Hynix, 日本Kyoxia, 美國WD-Sandisk, Micron都有技術
得中國長江存儲無得玩


另外中國D人係度打飛機話是奈米壓印中國人發明提出的




但其實如果NAND 用TLC但細製程 可能比高製程 但 PLC/HLC更加耐久 但密度成本不差太遠?? 我在想
例如在相同層數下的3DNAND,15nm TLC/QLC,比40nm PLC/HLC更加耐久,性能更好,但密度同成本差不多?
所以即系縮小製程會好過TLC/QLC 升PLC/HLC,而且消費者更加受落

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