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usei

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tT
發表於 2021-10-26 11:50 | 只看該作者

不用 EUV 上 5 nm

https://technews.tw/2021/10/22/c ... to-5nm-without-euv/

NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構，更適應 NIL 技術製程。


NAND 不是不用細製程嗎 ?  細製程寫入次數太少 , 還是想利用細製程整番 SLC ?
細製程如果能提高 8 倍以上密度 , 會比大製程 TLC 好
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高登阿伯

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2#
發表於 2021-10-26 23:30 | 只看該作者
NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構，更適應 NIL 技術製程。


NAND 不是不用細製程嗎 ?  細製程寫入次數 ...
usei 發表於 2021-10-26 11:50


目前正在進行 15 奈米以下研發，預計 2025 年達成。

即係有排未成事，遠水不能救近火，大家可以繼續捱炒價。

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rabbit82047

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3#
發表於 2021-10-27 10:26 | 只看該作者
NAND 係向高容量發展, 一定唔會行返去 TLC/MLC, 最多 TLC/QLC 行 TLC 模式

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usei

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4#
發表於 2021-10-27 11:48 | 只看該作者
回覆 3# rabbit82047

細製程 TLC 因為寫入次數太少 , 才轉大製程 3D

細製程 nand 用 SLC / MLC 才合理

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skywalker167

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5#
發表於 2021-10-31 10:11 | 只看該作者
本帖最後由 skywalker167 於 2024-2-1 08:15 編輯

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