AUO宣佈收購Field Emission Technologies公司之FED資產及技術


 友達光電宣佈收購Field Emission Technologies公司之FED資產及技術
- (2010年1月20日)
友達光電今(20日)宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議,收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術,該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中,將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明,以及相關設備等資產。

友達光電執行長陳來助(中) 與FET社長長谷川正平(左)及FETJ社長山崎純(右)簽署資產收購技術移轉協議。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相媲美,畫質與省電性均更為優異,未來FED技術的市場將針對高階的顯示器發展,可能成為繼OLED之後,另一個平面顯示器技術的新選擇,而友達取得此智慧資產也將成為未來獨特競爭力的強大後盾。

對於此次的收購案,友達光電執行長陳來助博士表示,「友達身為顯示器的全方位專家,長期關注各項顯示技術,希望能為更多客戶提供解決方案。針對高階市場如醫療與廣播用螢幕的需求,FED這項技術就十分合適。索尼公司過去在 FED技術上一直位居領導的地位,友達長期在新技術的開發也不遺餘力,今日成功的結合將促使友達可藉由過去FET團隊在FED技術的基礎,提供商品化的量產能力,嘉惠我們的客戶以及專業市場消費者。」

FED 面板因屬於自發光,因此不需要背光源,相對也成為更為節能的顯示器之一。而其提供的深層黑的特性,在顯示動態影像畫面時表現更為突出,在Sony與FET的耕耘之下,技術及量產性均有所突破。加上暗室對比高及其寬溫特性等多重優勢,未來將朝高階顯示器發展。

此一收購案為友達多年來積極佈局先進顯示相關核心技術的策略,加上經濟部技術處全力支持台灣廠商取得關鍵技術的協調及努力,在此展現成效。歷經過去兩次產業的大合併,友達除了在產能上擁有一定的規模外,更積極在攸關公司未來體質的技術層面加大腳步,轉型成為技術的先驅者,更顯示其與眾不同的思維。

此資產收購合約內容包括相關專利、技術know-how、發明及設備。目前FET公司擁有 FED領域的核心技術,友達收購此技術後,可望成為全球少數擁有商品化量產FED能力的公司。


新聞聯絡
發言人 財務長 楊本豫 (03) 500-8800 #3791
媒體聯絡 蕭雅文 (03) 500-8800 #3211
電子郵件: [email protected]

source : http://auo.com/auoDEV/pressroom. ... ewsId=750&ls=tc

受夠了 LCD 的畫面, 真係希望 FED / SED 可以出得成, 靠佢救苦救難的.

本帖最後由 evec 於 2010-1-21 22:46 編輯

AUO 只係買左專利權同技術,FET的廠房買唔到,而FED成本貴到無人有,只係適用係高階,高階唔係講緊EIZO CG,係講緊醫療MON,用途有限,否則SONY邊會咁易賣。

另外咪野受夠LCD啊,此板最多人問邊隻品牌降到千元。連VA都唔舍得買,你估有日真係即刻有技術做到勁靚而賣價同今日的平價TN一樣,建左咁多LCD廠唔洗回本啊。

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回復 2# evec

以及相關設備等資產

相信是指生產設備. 當然不是大型廠房, 而FED從未大量生產過.
如果AUO有意大規模生產, 必定要大量投資設廠房.

好多LCD TV現時賣得好平, 但質素唔太好.

根本好多人未睇過FED/SED, 甚至唔知佢係乜, 因此唔會期待佢的出現.

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東芝55英寸1920x1080 SED電視首次公開展示

作者:emufan 來源:www.cnpdb.com 日期:2006-10-03 22:54

  在近日召開的日本CEATEC JAPAN 2006展會上,眾多代表先進顯示器件的展品亮相,其中非常吸引人的就是東芝首次公開展出了SED電視的最新樣機,畫面尺寸達到55英寸,解析度為1920x1080,徹底打消了之前對於SED解析度的擔心,批量上市日期仍然定在2008年。之前展示的SED電視都是36英寸解析度為1280x768的型號,此次55英寸樣機據稱是在試驗性質中的生產線上生產出來的,而生產線的正式投產還定在2007年末。這款55英寸SED的亮度達到了450cd/m2,暗室對比度更高達5萬:1,也就是說其在排除面板反射光因素下,最低亮度可以低到0.001cd/m2,比起液晶普遍的0.4cd/m2、PDP的0.1cd/m2、CRT的0.02cd/m2的水準來說,非常接近全黑狀態,因此它一定很適合用來觀賞高清電影節目,同時繼承了CRT的快速回應與高動態清晰度的傳統,回應時間為1ms以下。

  東芝SED事業規劃擔當森慶一郎指出,到去年為止,SED都處於研究階段,此次展出說明我們已經處在生產線試製階段,SED在畫面細節,質感上都遠遠超出了目前平板顯示器件的能力,而專門為SED而設計優化的電路還沒有出來,因此SED所能達到的能力目前還沒有人見過,這也是我們目前正在努力的,SED將在將來成為不折不扣的畫質之王。2008年SED電視成品量產將從55英寸起步,在談到價格問題上時,他的意思大概是說最初階段,如此高畫質的產品是專給有此需求的人,看來價格不會便宜,也是,耗了這麼久,花了這麼多錢,再賣的便宜,豈不是虧大了。







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SED 畫質之高令人震驚 !


SED 的攤位設置了3台示範機


SED的原理概念圖



利用Canon的HDV攝影了的舞台上景物, 影像再由SED實時顯示



這影像原先是因應Plasma電視特性再配合特定的曝光數值來拍攝,
但在SED放影時就出現了曝光過度的情況, 皆因SED的亮度峰值實在遠高於Plasma Display.



畫面對比度高,室外和室內的景物重現得很真實







SED 畫面的暗位色彩表現很優秀

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SONY 的 "FED", 採用跟 "SED" 非常相似的技術




FEDの構造


インパルス駆動により高い動画応答性能を実現


滑らかな階調表現が可能に


エミッタ構造


ユニフォーミニティ(均一性)などがナノスピントエミッタの利点


アドレス方式は単純マトリックス



FEDとLCDの構成部材の違い


放送向けモニターなどプロフェッショナル市場に展開


source: http://www.watch.impress.co.jp/av/docs/20070409/fed.htm

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http://www.eetchina.com/ART_8800480692_480...TA_a2b8ab8f.HTM

SED和FED顯示技術的比較分析

上網時間 : 2007年09月24日

表面傳導電子發射顯示器(SED)和場發射顯示器(FED)有許多相似特性,特別是它們都能用來實現超薄的平板顯示器,而且這種平板顯示器在快速回應時間、高效率、亮度和對比度方面可以與CRT相媲美。這兩種技術的市場應用方向都是大螢幕的高清電視(HDTV)。兩者都是通過控制電子束陣列在表面塗覆螢光粉的陽極板上刻畫圖像。兩種技術都需要分佈於整個顯示器的多個隔離器支撐的真空玻璃封套。兩者本質上都是基於場發射概念,但發射器(emitter)結構上的主要差異導致了電子驅動器和顯示器工作方式有顯著的不同。

資訊顯示器是電子系統非常關鍵的人機界面,幾十年來業界專家一直在努力製造更大、更輕、更亮和更薄的顯示器,特別是用於電視收看。進一步追求完美電視顯示器的動力來自於HDTV,它改變了人們傳統的娛樂體驗,通過提供極高解析度的清晰視頻、高保真的環繞身歷聲、全屏圖像,以及交互應用的功能,HDTV提供的無以倫比的用戶體驗,引起了全球消費者的興趣。

由於目前用於HDTV的顯示器技術的固有缺點,許多研究人員已經轉向將納米碳管(CNT)用作發射電極的場發射顯示器(FED),並將此技術用於HDTV。另外,佳能和東芝公司已經開發出另外一種基於橫向場發射器的FED,稱為表面傳導電子發射顯示器(SED)。

FED和SED的相似性

SED和FED技術有許多相同的地方,如:

1.外形

首先,它們都是平板超薄螢幕技術,都可以滿足針對大螢幕顯示器的HDTV規範。業界推出的一種對角尺寸為36英寸的SED平面顯示器具有(H)1280 X 3 X (V)768 圖元。這種顯示器只有7.3mm厚,由2.8mm厚的陰極板、2.8mm厚的陽極板和1.7mm厚的真空隔離層組成。這種平面顯示器重量為7.8kg。相似尺寸的FED的重量和厚度也大致相仿,FEG和SED的目標市場都是大螢幕HDTV。

2. 顯示技術

其次,它們都是直接觀看或發射性顯示技術。每個圖元或子圖元自身都能產生可被用戶直接看見的光能,因此可以提供很高的對比度和效率,並且還有其他方面的性能改進。對於SED和其他FED技術來說,形成圖像的光是由帶能量電子撞擊非常類似于陰極射線管(CRT)陽極螢幕的螢光屏陽極產生的。所用螢光層也與CRT相同或類似。

3. 結構

第三,因為電子加速需要真空才能避免電暈或等離子放電,因此SED和其他FED的機械結構要由密封玻璃封套組成,通過抽真空形成加速電子束所需的真空。根據顯示器尺寸和玻璃牆厚度,通常需要隔離器(spacer)來保護玻璃牆免受大氣壓力的破壞。隔離器還必須能夠承受高電壓梯度,並且在正常工作狀態對用戶是透明的。36英寸SED需要用20個肋狀隔離器以保持1.7mm厚的真空間隙。SED顯示器的原理圖如圖1所示。包括SED在內的所有FED技術都需要某種形式的吸氣技術,以便在顯示器抽真空和密封後保持玻璃封套內所需的真空狀態。




圖1:顯示了陰極板、肋狀隔離器和陽極板的SED結構(頂部)。FED結構(底部)也非常類似,只有陰極板細節有所不同。

4. 製造

最後一點是製造和組裝工藝也非常相似,除了陰極板是個例外,後面還會討論到。目前開發的所有FED技術都需要裝配一個前板(陽極)和一個後板(陰極或電子源)以及側牆、隔離器和吸氣裝置。先單獨製造陽極和陰極板,然後與其他元件裝配在一起,再用玻璃粉或其他新型材料加以密封,最後抽真空。圖2給出了基於CNT的FED裝配流程,該流程也同樣適合包括SED在內的其他FED技術。有些技術將密封和抽真空步驟合併在一起,而有些技術則會取消隔離器或減少隔離器數量。一些正在開發中的新材料有望取代玻璃粉密封,以降低密封溫度,並避免使用高含鉛的材料。


圖2:顯示器製造基本流程框圖。

SED和FED的陽極製造工藝非常相似。圖3給出了SED面板陽極結構的細節:黑色矩陣和彩色篩檢程式用於提高對比度,金屬背膜用於改善亮度和效率,也用作高壓電位的電極,並在電子束照明期間從螢光層釋放出電荷。


圖3:SED平面顯示器陽極板的放大照片[4]。雖然其他FED顯示器的尺寸可能會變化,但結構是非常相似的。

另外,SED和基於CNT的FED顯示器都使用印刷的方法製造陽極和陰極板(後文將有詳細說明)。因此以個人觀點看,SED和其他FED技術有許多相同的元件,例如陽極以及陽極上使用的螢光層、隔離器、吸氣器以及大部分裝配工藝。下面讓我們再看看SED和其他FED技術的獨特性。

SED和FED之間的區別

從電子源板和驅動電路方面可以清楚地看到SED和FED之間的顯著差異。在討論差異的顯著性之前,我們必須首先理解每種技術採用的結構和工作原理。

1. 標準FED發射器結構

採用納米碳管(CNT)發射器的一些典型結構如圖4所示。微端(Microtip)發射器也有相似的結構。在這兩種情況下,電子束都是通過從發射器結構(CNT或微端)獲得電子形成的,這是陽極、柵極和陰極之間的電壓差導致發射器上產生高電場的結果。在某些時候,陽極電場致使電子發射,而陰極-柵極的壓差控制發射電流強度。


圖4:用於CNT發射器的配置。(a)金屬柵格懸浮在位於陰極線頂部的CNT電子發射器片上。 (b)柵極結構完全被集成,並採用光刻技術構建於陰極板上。

FED發射器的電子流受發射器上施加的電場(由陰極到柵極的偏置電壓產生)控制,並受Fowler-Nordheim等式的約束。發射器的電流是施加電壓的函數,並呈高度的非線性。圖5是一個CNT發射器的I-V特性例子。除了施加電場外,發射電流還取決於發射器的功函數(workfunction())和發射器形狀。當功函數降低時,例如塗覆鹼金屬,那麼在較低的電場更容易獲取電子。當發射器的形狀變得較銳利時,也更容易或取電子,因為在發射器頂部的局部電場會更高。


圖5:作為電場函數的發射電流施加於CNT發射器,而且CNT發射器覆蓋了銫。銫可以降低功函,允許在較低的提取電場下發射。

考慮標準FED技術時有兩個要點。首先,配置在很大程度上是垂直的。一般柵極緊靠陰極放置,這樣施加的電場在CNT發射器沉積的陰極處大部分是垂直的,從陰極發射出來的電子將直接到達陽極。一些電子束的加寬是施加電場的橫向分量引起的,但設計會盡可能地限制這些分量,或者需要時在路徑中放置另外的聚焦電極加以糾正。通常情況下,FED設計師的目標是禁止電子在離開發射器後撞擊除陽極外的其他任何表面。

其次,典型的FED是電壓驅動型器件。在無源矩陣FED顯示器中,很難在陰極和柵極(開和關電壓)之間施加超過兩個或三個電壓等級,因此圖像的灰度等級是由脈衝寬度調製實現的。對所有無源矩陣平面顯示器而言,圖像是一行行建立的。當某一行被啟動時,該行的圖元就被列驅動器打開;該行每個圖元保持打開的時間取決於該幅圖像幀的圖元要求的發光強度。由於發射器的發射電流具有高度非線性,發射器的製造又很難控制,因此對微端和CNT顯示器來說發射和圖像的一致性是需要克服的大問題。製造技術已經改善了基於CNT的FED的一致性。陰極的發射一致性通常是由與陰極串聯在一起的電流回饋電阻進行控制。

FED發射器的製造取決於FED開發團隊所採用的方法。摩托羅拉和LETI公司開發的工藝要求CNT直接生長在陰極基底上,而ANI和三星等公司開發的工藝允許CNT印刷。與直接CNT生長所要求的高溫CVD方法相比,印刷方法更適合大批量製造具有一致發射性能的大面積陰極。印刷方法要求一個活化步驟,但即使這個步驟也針對使用珠光處理(bead-blasting)技術的大面積製造工藝作了優化。

2.SED結構

SED結構與其他FED技術相比其獨特性在於,針對每個圖元對陽極提供的電子束流需要用兩步產生。

a.第1步

電子源橫向發出電子,穿越兩個電極之間形成的非常窄的間隙。電極之間的這個間隙雖然小,只有數個納米數量級,但仍是真空間隙,需要施加一定的電位才能將電子從一個電極提取出來,並穿過真空隧道屏障到達另外一個電極。穿越電極空隙的電子流遵循Fowler-Nordheim定律,因此具有高度非線性,並允許後文要討論到的矩陣可定址方式。表面傳導發射器(SCE)正是從這種橫向發射器結構而來。圖6是SED發射器的結構圖。


圖6:SED的結構。每個子圖元都有一個獨特的用於提供電子流的電極對。

b.第2步

穿越間隙並撞擊對面電極的電子要麼被吸收進對面電極(因此只產生熱量,不發光),要麼被散射出來,再被陽極電位建立的電場所捕獲,並加速撞擊某個精確螢光點,從而產生紅、綠或藍光點。這種組合式電子發射加電子束散射過程如圖7所示,其中Va代表陽極電位,Vf是跨越間隙的驅動電位。許多散射事件可能發生在電子被陽極電場捕獲之前。因此被陽極捕獲的電子數量的效率(Ie/If,圖7)非常低,大約在3%,但功效比較理想,因為Vf比較低,約在20V。值得注意的是,到達陽極的電子流一致性取決於間隙處的電場發射電流以及圖元到圖元的散射事件效率。


圖7:表面傳導發射器發射機制。

上述發射器是採用多種技術製造的。簡單的矩陣連線通過印刷方法沉積而成,這種方法在交叉點處使用銀線和絕緣薄膜。鉑(Pt)電極採用薄膜光刻製成,這些電極之間的間隙是60nm。納米碳間隙採用兩步工藝創建,最先是在Pt電極上和電極間用噴墨印刷方法沉積PdO薄膜(10nm厚)。這層薄膜由直徑約10nm的超細PdO顆粒組成。然後是第一步,在兩個Pt電極之間的這種PdO薄膜上施加一串電壓脈衝,通過減少氧化層在該薄膜上“形成”一個間隙。由於基底處於真空環境,脈衝熱量會減少PdO。隨著PdO的減少,薄膜會受到一定的壓力,最終在PdO點的直徑範圍內形成亞微米的間隙。

然後,將陰極暴露在有機氣體中“啟動”間隙,並往間隙上施加更多的脈衝電壓。這些脈衝電壓將形成局部放電,並導致間隙中形成類似CVD的碳薄膜沉積,最終間隙將縮小至自我限制的5nm數量級距離。當間隙較大時,由於碳氫化合物分子在因放電形成的等離子區內的分裂而沉積成碳元素。隨著間隙逐漸變小,脈衝生成的局部放電電流會越來越大,材料將逐漸蒸發。當間隙為5nm時,碳元素的沉積和蒸發達到平衡。這種間隙的寬度受有機氣體壓力和脈衝電壓的控制。間隙的橫截面圖像如圖8所示。


圖8:(頂部)採用成型和啟動工藝製造的納米碳間隙的SED橫截面圖。(底部)納米碳間隙結構的框圖。基底損耗是由於啟動工藝局部產生的高溫引起的。

與FED相似,SED也是逐行驅動的,如圖9所示。掃描電路產生掃描信號(Vscan),信號調製電路產生同步於掃描信號的脈寬調製信號(Vsig)。由於表面傳導發射器具有高度非線性的Ie-If特性,可以不用有源單元而使用簡單的矩陣x-y配置來有選擇地驅動每個圖元,並在信號電壓為18.9V、掃描電壓為9.5V時仍能獲得100000:1的亮度對比度。相比之下,基於CNT的FED結構的典型信號電壓為 35" 50 V,掃描電壓為50" 100 V。SED開關器件的電壓低得多,但它們必須針對更高的穩態電流負載進行設計,由於SCE電子散射機制的低效率,最高電流可達30倍。SED的大電流還要求互連線阻抗比FED低,因為即使線上一個很小的壓降也會導致邊到邊的非一致性。


圖9:SED矩陣定址式驅動方法框圖。

本文小結

SED和其他FED技術有許多相似的部分,例如陽極配置和陽極使用的螢光層、隔離器技術、吸氣器以及許多裝配工藝。最大的差異在於發射器結構,雖然SED和其他基於FED的結構都可以用印刷技術進行製造,從而有助於降低大螢幕顯示器的製造成本。

兩種發射器結構都遵循Fowler-Nordheim特性,允許使用簡單的x-y矩陣定址實現高的對比度。SED已經可以提供100000:1的對比度;如果使用相同的陽極,FED也能提供近似值。SED和基於CNT的FED(對於印刷CNT層)都要求啟動步驟,雖然啟動過程有很大的不同。SED的驅動電壓為20V或以下,但要求較大的電流能力。基於CNT的FED一般工作在50 " 100 V範圍內,但驅動電流小得多。由於要求大的驅動電流和低的驅動電壓,SED的互連線需要更穩定可靠。因此SED和基於CNT的FED已經被證明或有可能被證明是製造高品質、大螢幕HDTV顯示器的低成本方法。


作者:
R. L. Fink, Zvi Yaniv,
L. H. Thuesen, Igor Pavlovsky
Applied Nanotech公司

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FED 技術都發展左五年以上,為何還未能做起。

友達用12億日元就買起去,如果咁有市場,邊會肯咁低手就放。

FED係靚啊,不過而家SONY出的拿反沙19“ 只能行到1280X960,仲要係賣去廣播,你送比電視台無1920X1080人地都唔會用拉,而且D部野,講緊係十萬級。

市場咁細,而且LCD真係做唔到好靚嗎,廣播級LCD一D都唔差啊。

要FED的價錢看齊市面大眾消費的最高級機器已經有難度,仲話唔洗受LCD氣

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