回復 40# upcupcupc


咁姐係可以用漒水黎蝕板?

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淨強水蝕唔到
如果蝕刻液唔夠濃真係蝕好耐..
其實可以用呢個方法黎重用氯化鐵

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我諗起亞小寶樽化屍粉, 又係無限回收  XD

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本帖最後由 jackli 於 2012-12-16 21:22 編輯

酸性氯化銅蝕刻液
1、        特性
適用於生產多層板內層,掩蔽法印製板和單面印製板,採用的抗蝕劑是網印抗蝕印料、幹膜、液體感光抗蝕劑,也適用於圖形電鍍金抗蝕印製電路板的蝕刻。
  電鍍金抗蝕層印製電路板的蝕刻:
A,        蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定的狀態下,能達到高的蝕刻品質。
B,        溶銅量大。
C,        蝕刻液容易再生與回收,減少污染。
2、        化學組成:
化學組分              1         2          3           4            5
Cucl2.2H2O     130-190g/l      200g/l     150-450g/l   140-160g/l    145-180g/l
HCL           150-180ml/l     100ml/l                7-8g/l        120-160g/l
NaCL                         100g/l   
NH4CL                                  飽和平共處  160g/l      
H2O          添加到1升    添加到1升  添加到1升   添加到1升  添加到1升
3、        蝕刻原理
在蝕刻過程中,氯化銅中的二價銅具有氧化性,能將印製電路板面上的銅氧化成一價銅,其化學反應如下:
              蝕刻反應:CU+CUCL2→CU2CL2
所形成氯化亞銅是不易溶于水的,在有過量的氯離子存在的情況下,能形成可溶性的絡離子,其化學反應如下:
絡合反應:CU2CL2+4CL—→2「CUCL3」2-
隨著銅的蝕刻,溶液中的一價銅牆鐵壁越來越多,蝕刻能力很快就會下降,以至最後失去效果,為保證連續的蝕刻能力,可以通過各種方法進行再生,使一價銅重新轉變成二價銅,達到下常工藝標準。
4、        影響蝕刻速率的影響。
A、        氯離子含量的影響。
蝕刻液的配製和再生都需要氯離子參加,但必須控制鹽酸的用量,在蝕刻反應中,生產CU2CL2不易溶于水,而在銅表面生成一層氯化亞銅膜,阻止了反應進行,但過量的氯離子能與CU2CL2絡合形成可溶性絡離子「CUCL3」2-從銅表面溶解下來,從而提高了蝕刻速率。
B、        一價銅的影響
微量的一價銅存在蝕刻液中,會顯著的隆低蝕刻速率。
C、        二價銅含量的影響,通常二價銅離子濃度低於2克離子時,蝕刻速率低,在2克離子時,蝕刻速率就高,當銅含量達到一定濃度時,蝕刻速率就會下降,要保持恒定的蝕刻速率就必須控制蝕刻液內的含銅量,一般都採用比重方法來控制溶液內的含銅量,通常控制比重在1.28—1.295之間(波美度31--330BE’),此時的含銅量為120—150克/升。
D、        溫度對蝕刻速率的影響。
最好控制溫度在45--55℃,當溫度升高,蝕刻速率增加,但溫度過高會引起鹽酸過多的揮發,導致溶液組分比例失調。
5、        蝕刻液再生
a.        原理:主要利用氯化劑將溶液中一價銅離子氧化成二價銅離子。
b.        方法:能氧氣或壓縮空氣法、氯氣法、電解法、次氯酸鈉法、雙氧水法。
一、        通氧氣或壓縮空氣再生法:此法再反應速率較慢,其化學反應式如下:
2CU2CL2+4HCL+02→4CUCL2+2H2O
二、        氯氣再生法:直接通氯氣是再生的最好方法,因這氯氣是強氧化劑,而且它的成本低,再生速率快,其反應式如下:
                CU2CL2+CL2→2CUCL2
三、        電解再生法:在下流電的作用下,通過電解其再生反應如下:
在陽極:CU1+→CU2++e
在陰極:CU1++e→CU0
                它可直接回收多餘的銅,同時又使一價銅氧化成二價銅,使蝕刻液獲得再生,但成本費用較高。
四、        次氯酸鈉再生法:通過次氯酸鈉放出初生態氧,使它具有很強的氧化性,因而再生速率快,實際上很少採用,這是因為氧化劑成本高,還因為它本身的危險性,其化學反應如下:
                 CU2CL2+2HCL+NAOCL→2CUCL2+NACL+H2O
五、        雙氧水再生法:因為雙氧水可提供初生態氧,具有很強的氧化性,再生速率很快,只需40—70S即可再生,其反應式如下:
                 CU2CL2+2HCL+H202→2CUCL2+2H2O
6、        工藝參數的控制
                                不同銅箔厚度的側蝕總量
     銅箔厚度(T)微米                 70       35      18       9       5
     側蝕總量(2*T/3)微米             47       23      12       6       3
0.1毫米導線截面最窄處毫米       0.053    0.077   0.088    0.094    0.097
     
   要嚴格控制側蝕量,就必須嚴格地控制蝕刻的工藝參數.

source: www.dianyuan.com/blog/u/54/1182737904.doc

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這個好方法,好好學習

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