點解而家d cpu仲系用咁高電壓?

自從cpu採用90nm後,電壓就一直採用1.35v左右. 但現在制程進步到45nm,電壓依然採用1.35V左右水平,點解會咁呢?唔系制程越細,所需電壓就越低嗎? 理論上45nm cpu行1.35v會比90nm cpu行1.35v易死,我所講的對嗎?請大家講講自己的意見

雙核心變4核心
粒U唔洗電咩

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intel D u 已經去到 1.2v ~ 0.8v

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原帖由 taiwanese 於 2009-3-27 06:36 發表
intel D u 已經去到 1.2v ~ 0.8v

i7 1.1v 125w tdp, p2 8x0/7x0 1.3v 95tdp

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原帖由 321 於 2009-3-27 00:37 發表
自從cpu採用90nm後,電壓就一直採用1.35v左右. 但現在制程進步到45nm,電壓依然採用1.35V左右水平,點解會咁呢?唔系制程越細,所需電壓就越低嗎? 理論上45nm cpu行1.35v會比90nm cpu行1.35v易死,我所講的對嗎?請大家講講自己的意見


   頻率  電壓,電流..功率,同操作溫度都有關係..唔係單一話電壓相同 就會易死D

PN Junction 過電都要 0.6-0.7V ,起動電壓都有個限制,去到某一個電壓,就好難向下減

CPU 90nm 行緊 3.0Ghz...我粒 45nm CPU 行緊 2.5Ghz 咁係咪 90nm 會易死D呢??

我只知CPU溫度過高 散唔到熱.就最唔耐用

[ 本帖最後由 CMS 於 2009-3-27 11:09 編輯 ]

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原帖由 hacker 於 2009-3-27 01:39 發表
31年前8086 CPU 3微米製程, 用5V電.
依家過多十年4核只用0.5V, 咁樣O唔OK !?

相同電壓45nm比90nm易死 !? 呢個又係咩理論 !?


45nm o既 transistor o既 gate oxide薄o的, 加上佢o既 leakage current 會高好多,  所以lifetime 會短d 係合理gei...不過, 學大家話齋, o係你未用死粒u 之前, 你已經換左la...
不過, 有一點係, 雖然大家會foresee 倒 45nm o既 u 係會 "易" 超d,
都係因為oxide 薄. voltage轉少少, 對佢o既 effect 就好大...
因此, 係易超o既同時, 佢係比90nm o既冇咁 "come超"....

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原帖由 lokko 於 2009-3-27 11:14 發表


45nm o既 transistor o既 gate oxide薄o的, 加上佢o既 leakage current 會高好多,  所以lifetime 會短d 係合理gei...不過, 學大家話齋, o係你未用死粒u 之前, 你已經換左la...
不過, 有一點係, 雖然大家會foresee  ...


無錯, gate oxide 薄o的

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原帖由 hacker 於 2009-3-27 12:28 發表
咁第日做到10個納米1個納米個時咪隨時用幾日就打柴 !?
咁我都知所有野都有壽命.
RAM入面既電容都會因長期使用而死, flash ram入面既微型開關亦比電容快打柴.
cmos入面oxide insulator, gate electrode又會因長期通電終有一日被電子擊穿....
所以加壓超會更快打柴.


其實而家已經差5多去到一個盡頭...
1n...而家係冇可能, 因為盡頭就係一粒silicon atom o既 厚度,
即係gate oxide 只得一層 atom, 但你會想像到...而家係冇可能咁做...
太大leakage...而且, 如果唔小心多左一粒...個effect已經係 50%....
之所以 semi-conductor industry scale down 得咁快...係因為工具上o既進步...
但同時, 亦限制於物理上o既size......
除非一日 carbon nano tube 真係用得上....
如果唔係...~20n 應該會頂

[ 本帖最後由 lokko 於 2009-3-27 13:15 編輯 ]

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