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【日本斷電事故、制裁韓國“禍”全球】 傳 SSD 有加價跡象!! 漲幅高達 15%
文章索引: 儲存裝置
全球 NAND Flash 市場自去年初開始已連跌6個季度,廠商為防止盈利下滑都計劃採取減產的方法,Micron 更宣佈會削減 10% 的 NAND 產能,在上月日本 Toshiba 發生了 NAND Flash 廠斷電事故,再加上日本政府在本月初宣布限制半導體材料出口韓國,市場已傳出 NAND Flash 將會漲價,預計漲幅約為 10% 至 15%。

在 6月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生了停電事故,停電過程只有 13 分鐘,但生產線卻停工了 5 天直到 21 日上午才恢復,由於生產過程中一旦出現任何的意外影響將會非常之大,晶圓製造屬連續性生產製程,過程中水、電一刻也缺不得,一旦暫停即需耗費極大的停工成本。

在製程中的晶圓因斷電將會失去真空環境,就會造成晶圓破片,除了晶圓破損、報廢的損失,重要的還有後續碎片的清理,若有碎片卡在機台對日後良率也將造成影響,事後的全面檢查也遞延了第一時間復工的可能。
【日本限制半導體材料出口韓國】 全球 DRAM、NAND 晶片又會加價了嗎?!
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NAND Flash 及 DRAM 市場真係「一波未平一波又起」,在上月 15 日全球第二大儲存記憶體製造商 Toshiba 發生的停電事故仍未解決,在 7 月 1 日日本政府突然宣布將對韓國執行經濟制裁,限制日本半導體材料、OLED 顯示面板材料出口韓國,並於 7 月 4 日起正式施行,是次日本執行的經濟制裁對於 Samsung、SK-Hynix 兩大韓國半導體廠商在 NAND Flash 及 DRAM 生產不免會受到影響。

日本限制出口韓國的材料主要有三大品類,分別是電視和手機 OLED 面板上使用的 Fluorine Polyimide 氟聚酰亞胺、半導體制造中使用的 Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫。據了解,日本當前基本上已壟斷全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場,分別佔全球份額的 90%、70% 之多。

除了 Samsung 及 LG 製作電視、智能手機的材料會受影響之外,Resist 光刻膠及 Eatching Gas 高純度氟化氫更會在半導體制造中大量使用,光阻層材料基本上是用於集成電路和晶片製造,這種材料是用來將電路的構造轉移到半導體基底。
【TLC 技術再升級!!單顆最高可達 1TB 容量】 SK-Hynix 量產 128 層 4D NAND Flash
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從去年開始 SSD 價格就在持續下跌,因此各 NAND Flash 廠商都開始採取不同的行動,除了控制產能之外,另一個更有效的方法就是加強研發新的 NAND Flash 技術。日前,SK-Hynix 正式宣布了其 128 層 4D NAND Flash 晶片正式開始量產,是全球首家開始量產 128 層 NAND Flash 的廠商,是自去年 10 月開發 96 層 4D NAND Flash 之後,時隔 8 個月取得的新成果。

SK-Hynix 全新 128 層 1TB NAND Flash 實現了業界最高的垂直堆疊,擁有 3600 多億個 NAND 單元,為了實現此工藝,SK-Hynix 在自家的 4D NAND 技術上應用了大量創新技術,包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多層薄膜細胞形成技術”及“超快速低功耗電路設計”等。

新產品實現了 TLC NAND Flash 業界最高的 1TB 密度,許多儲存器公司已經開發了 1TB QLC NAND 產品,但 TLC Flash 具有良好的性能及可靠性,在 NAND 市場中仍佔有 85% 以上的份額,SK-Hynix 則是首家將 1TB TLC NAND 商業化的廠商。
ARGB 燈效、極速讀寫 GIGABYTE AORUS RGB AIC NVMe SSD
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GIGABYTE 旗艦級「AORUS RGB AIC NVMe SSD」正式登場,採用 PHISON PS5012-E12主控制器配搭 TOSHIBA 15nm Toogle 2.0 3D TLC NAND 顆粒,擁有最高讀取 3,480MB/s、寫入3,080MB/s 極速讀寫性能,4K 隨機讀寫速度更高達 530,000 IOPS Read、510,000 IOPS Write,更重要是頂端加入巨型 ARGB 導光燈條,信仰十足。

GIGABYTE 近期正積極拓展 SSD 產品線,推出全新旗艦級「AORUS RGB AIC NVMe SSD」,基於 PHISON PS5012-E12 主控制器,配搭 TOSHIBA 15nm Toogle 2.0 3D TLC NAND 顆粒,擁有最高讀取 3,480MB/s、寫入3,080MB/s 極速讀寫性能,4K 隨機讀寫速度更高達 530,000 IOPS Read、510,000 IOPS Write,更重要是頂端加入搶眼的 ARGB 燈效,廠方提供 5 年保固服務,配有 512GB 及 1TB 容量可供選擇。

此外廠方送測為 1TB 容量版本,型號為「GP-ASACNE21000TTDR」,尺寸為 174 mm x 71mm x 13mm,採用 PCI Express 3.0 x4 Add-in Card 設計,支援 NVMe 1.3 傳輸規格。為提升散熱效果加入正反 5mm 、背面 2mm 厚度鋁合金散熱器,配合高導熱性散熱貼,就算在長期高負載下仍保持低溫不跌速。
【好詭異!!】斷電 13 分鐘但要停產 5 日 Toshiba NAND 廠停電或影響晶片價格
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據外媒報導,Toshiba 位於日本三重縣的四日市工廠在日前發生電力故障,一些生產線已關閉,考慮到 Toshiba 在該市擁有多個工廠,此次的停電風波對於 Toshiba 的影響備受業界關注。

根據日媒報導,Toshiba 的 NAND Flash 工廠於當地時間 6 月 15 日下午 6 點 25 分發生斷電事故,停電過程非常短,13 分鐘之後電力就恢復了,不過工廠卻一直停產,直到 21 日上午才恢復,至少停工了 5 天時間。

Toshiba 發言人解釋稱,通常情況下,一旦半導體工廠停產,需要幾天到幾週才能恢復運行並穩定其質量。
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