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壽命更長、穩定性更高 3D NAND Flash時代來臨!!
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近期 HKEPC 討論區的玩家們,都在推薦採用 3D NAND 的 SSD 產品,究竟 3D NAND 是什麼 ? 相較傳統 2D NAND 優勢何在 ?

為提升 NAND Flash 晶片容量,最快捷方法就是縮小電晶體的尺寸,可是 NAND Flash 的制程技術已達至半導體物理極限, 3D NAND 技術成為業界的最新發展方向。傳統 NAND Flash 採用平面設計,而 3D NAND 是以則由原本平鋪的儲存單元所堆疊而成,由傳統單層儲存提升至高達 64 層或是上的儲存堆疊,令儲存容量相較傳統 2D NAND Flash 得以提升。

3D NAND Flash 已分為三種設計,現時最常見的是 Simple Stack , Bit Line 與 Word Line 同處在同一平面再重覆堆疊,第二種是 Bit Line 與 Word Line 相互垂直,堆疊的層數是往 BL 方向增加,該結構稱為之垂直通道 (Vertical Channel) ,第三種則是依舊 BL 與 WL 相互垂直,不過堆疊的層數是往 WL 方向增加,這個結構稱之為垂直閘極 (Vertical Gate) 。
抗衡IBM!! 7nm 製程競賽揭序幕  ARM 及 TSMC 成長期戰略伙伴
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ARM 及 TSMC 17 日發佈將成為長期合作伙伴,就發展 7nm FinFET 製程技術進行深度合作,率先向最下一代工藝制程進行部署,兩大科技龍頭是次組成戰略伙伴共同進行研發,加快半導體工業生產製程技術腳步。

日前, ARM 及 TSMC 共同宣佈兩家企業已達成一項長期合作協議,主要針對 7nm FinFET 製程技術進行深度合作,其建基於 ARM Artisan Physical IP Solutions ,能夠高效實現複雜的 SoC 設計,為每家代工廠及處理器技術進行專門優化,其處理技術範圍可 250nm 至 10 nm 製程技術,全新協議將進一步深化至 7nm 製程。

繼 IBM 於去年中表示與 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 納米科技工程部攜手打造全體首枚僅 7nm 晶片,各大廠商亦急起即追,恐錯失先機,現 ARM 及 TSMC 進入此領域進行良性競爭,相信製程技術將飛速發展。
記憶體晶片與智能手機業務競爭加劇 SASMUNG︰業務環境變得非常艱難
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SAMSUNG 4 日公開表示 2016 年將會是公司業務環境非常艱難的一年,包括記憶體晶片與智能手機市場的核心業務競爭將會進一步加劇,加入全球經濟表現低迷,而新興市場的金融風險亦不斷增加帶來更多不確定性。

SAMSUNG 社長權五鉉於 4 日向員工發表的 2016 年新年致辭,指出今年全球經濟將持續低增形勢,而且新興市場因為金融風險提升而帶來更多不確定性,全球經濟走軟加上公司的記憶體晶片與智能手機等核心業務競爭加劇, 2016 年對 SAMSUNG 來說將會較為艱難。
Canon發佈全新APS-H CMOS傳感器 2.5億像素 解析度19580 x 12600
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Canon 7 日宣佈成功研發全新的 APS-H CMOS 傳感器,其攝影像解析度提供至 19,580 x 12,600 ,即高達 2.5 億 Pixels ,其拍攝的照片能夠清楚看到 1 萬 8 千米高空上飛機上的字母,這款傳感器初期會被用於安全監控裝置領域上,未來將會進一步導入 DSLR 專業拍攝領域。

據了解,全新的 APS-H CMOS 傳感器尺寸相較現時的 APS-C CMOS 大一點,卻比 35mm Full Frame CMOS 細小,很大機會用於未來 DSLR EOS-1D 產品線上,傳感器存取速度可達每秒 12.5 億 Pixels ,而且在噪訊控制表現非常優秀。

除了用作拍照片外,這款 APS-H CMOS 傳感器亦會應用於 4K Ultra HD 影像拍攝,相較現時市場上的 4K 產品使用的 CMOS 傳感器,其畫面的成像將會清晰 30 倍。
TOSHIBA量產QLC顆粒及BiCS NAND 三年內數據中心SSD產品可達128TB
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TOSHIBA 25 日宣佈正式量產基於 3D 堆疊技術的 BiCS NAND Flash 及自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) ,全新的 NAND FLASH 技術可以進一步降低 SSD 儲存容量成本,同時亦令 SSD 產品容量追上傳統機械硬碟,預計三年內企業用 SSD 產品將會提升至 128TB 容量。

據了解, TOSHIBA 將會加速推動 SSD 容量發揮,傳統 HDD 的儲存容量優勢不再,計劃量產自家研發的 QLC (Quad-Level Cell) 及 BiCS 3D NAND Flash 堆疊技術,雖然 SSD 容量開始追上傳統 HDD ,但寫入壽命仍然是 NAND Flash 技術的主要問題,高容量企業用 SSD 主要用作應付大量讀取的伺服器應用為主。
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